[发明专利]一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统

权利要求书

1.一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，包括激光器(1)、光谱测量系统(2)和光路部件(3)，其特征在于，所述的光路部件(3)包括反射镜(31)、透镜(32)和抛物面镜(33)，并构成测试光路；所述的激光器(1)发射的激光经过所述的反射镜(31)转换方向后由所述的透镜(32)聚焦直接照射在被测样品(4)上，所述的被测样品(4)产生的激光通过抛物面镜(33)收集转向准直后以宽光束形式送达光谱测量系统(2)；所述的激光器(1)根据半导体材料的特性确定发射波长；所述的发射波长小于被测样品产生的光致发光波长，并在近红外波段内选取。

2.根据权利要求1所述的改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，其特征在于，所述的半导体材料的特性包括半导体材料的带隙和外延结构。

3.根据权利要求1或2所述的改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，其特征在于，所述的激光器(1)为功率半导体激光器或全固态半导体激光器。

4.根据权利要求1所述的改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，其特征在于，所述的抛物面镜(33)的口径大于2.5cm。

5.根据权利要求1所述的改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，其特征在于，所述的光谱测量系统(2)为光栅光谱仪或傅立叶变换光谱仪。

6.根据权利要求1所述的改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，其特征在于，所述的被测样品(4)包括发光波长大于所述激光器的发射波长的InP基的InGaAs、InGaAsP、InAlGaAs以及GaSb/InAs基的InGaAsSb、AlInAsSb、InAsPSb的体材料和微结构材料。

7.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，其特征在于，所述的光路部件(3)和激光器(1)均安装在光学面包板上构成一体化部件，并利用采用硅CCD/CMOS的普通数码相机、摄像头或荧光卡进行光路调节。