[发明专利]一种碲纳米晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010262202.5 申请日: 2010-08-20
公开(公告)号: CN101920940A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 袁求理;聂秋林 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C01B19/02 分类号: C01B19/02
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 晶体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种碲纳米晶体的制备方法,其特征在于该方法具体步骤如下:

(1)将正碲酸溶解在水中,根据制备的碲纳米晶体所需的形貌配置正碲酸水溶液,具体是:

如需制备碲纳米晶体颗粒,则配置的正碲酸水溶液浓度为M1,4×10-2mol/L<M1≤6×10-2mol/L;

如需制备长度为100~200纳米的碲纳米短棒,则配置的正碲酸水溶液浓度为M2,3×10-2mol/L≤M2≤4×10-2mol/L;

如需制备长度大于200纳米的碲纳米长棒,则配置的正碲酸水溶液浓度为M3,1×10-2mol/L≤M3<3×10-2mol/L;

(2)将还原剂一水合肼加入到正碲酸水溶液中,形成黑色悬浮溶液;每毫升正碲酸水溶液加入一水合肼的量为1~2毫摩尔;

(3)将黑色悬浮溶液倒入水热反应釜中进行水热反应,反应温度为100~120℃,反应时间为12~24小时;

(4)水热反应结束后,将反应物进行离心分离,得到固体产物;将固体产物依次用蒸馏水和乙醇洗涤,干燥后得到黑色固体粉未,即为碲纳米晶体。

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