[发明专利]显影工艺的检测版图以及显影工艺的检测方法

权利要求书

1.一种显影工艺的检测版图，用于检测显影工艺的显影液流量，所述检测版图包括至少一组检测图案，所述检测图案包括多个线条图形。

2.如权利要求1所述的显影工艺的检测版图，其特征在于，所述检测版图包括多组检测图案，所述多组检测图案等间距设置。

3.如权利要求1或2所述的显影工艺的检测版图，其特征在于，所述检测图案中的多个线条图形排列成四边形。

4.如权利要求1或2所述的显影工艺的检测版图，其特征在于，所述检测图案中的多个线条图形排列成五边形。

5.如权利要求1或2所述的显影工艺的检测版图，其特征在于，所述检测图案中的多个线条图形排列成六边形。

6.如权利要求1或2所述的显影工艺的检测版图，其特征在于，所述线条图形的线宽为1～2μm。

7.一种应用权利要求1所述的检测版图检测显影工艺的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有光阻层；

通过曝光工艺将所述检测版图转移到所述光阻层上，以将所述光阻层划分为需去除区域和需保留区域，所述需保留区域与所述线条图形相对应；

对所述半导体衬底执行显影工艺；

根据所述需去除区域的光阻的去除情况，来判断所述显影工艺的显影液流量是否符合工艺要求。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，若所述需去除区域的光阻被完全去除，则判定显影工艺的显影液流量符合工艺要求。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，若所述需去除区域的部分光阻残留在所述半导体衬底上，则判定显影工艺的显影液流量不符合工艺要求。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，若所述需去除区域的部分光阻以所述半导体衬底的中心点为中心，呈放射状分布在所述半导体衬底上，则判定显影工艺的显影液流量小于标准值。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，若所述需去除区域的部分光阻呈圆环状分布在所述半导体衬底的中心位置，则判定显影工艺的显影液流量大于标准值。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为1～2μm。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光阻层为负型光阻层。

14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光阻层为正型光阻层。

15.如权利要求7至14中任一项所述的方法，其特征在于，利用激光图案检测设备检测所述需去除区域的光阻的去除情况。