[发明专利]一种四结半导体太阳能光伏电池芯片

权利要求书

1.一种四结半导体太阳能光伏电池芯片，其特征在于：以锗(Ge)单晶片为衬底依次生长底电池(p-Ge，n-Ge)，成核层(GaAs)，缓冲层(GaInAs)[4]，势垒层(n-GaInAs)，隧道结(n++AlGaAs，p++GaInAs)，势垒层(p+GaInAs)，第二结电池(p-GaInAs，n-GaInAs)，窗口层(n+AlGaInP/AlInAs)，第二隧道结(n++GaInAs，p++AlGaAs)，第二势垒层(p+GaInP)，第三结电池(p-GaInP，n-GaInP)，第二窗口层(n+AlInP)，第三隧道结(n++ZnSe，p++ZnSe)，第三势垒层(n+ZnSe)，顶电池(p-ZnSe，n-ZnSe)，第三窗口层(n+ZnSe)，欧姆接触层(n+ZnSe)。

2.根据权利要求1所述的一种四结半导体太阳能光伏电池芯片，其特征在于：采用半导体单晶片为衬底采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子来外延(MBE)方法生长多结太阳电池芯片。