[发明专利]体波谐振器及其加工方法有效

专利信息
申请号: 201010259108.4 申请日: 2010-08-20
公开(公告)号: CN101908865A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 庞慰;张浩 申请(专利权)人: 庞慰;张浩
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H3/02
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 杜文茹
地址: 100026 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 谐振器 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种声波谐振器,其特征在于,包括如下结构:

(a)基底;

(b)位于基底上或嵌于基底内部的声学镜,所述的声学镜包含第一边缘和第二边缘;

(c)位于基底上的介电层,所述的介电层与声学镜的两个边缘充分接触;

(d)位于声学镜上的第一电极,所述的第一电极包含第一末端部、第二末端部、以及位于第一末端部和第二末端部之间的主体部分,第一电极至少有一个末端要延伸到介电层之上;

(e)位于第一电极上的压电层,所述的压电层包括有主体部、第一末端部、以及第二末端部,并且所述的两个末端部分别向相反方向延伸到介电层之上;

(f)位于压电层上的第二电极,所述的第二电极包括有主体部和第二部分,所述的主体部位于压电层的主体部之上,并与第二部分相连,从而使这两部分的连接处位于声学镜的第一边缘和第二边缘之间,并且在第二电极的第二部分与压电层的第一末端部之间形成空气间隙。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述的空气间隙内填充介质材料。

3.根据权利要求2所述的声波谐振器,其特征在于,所述的介质材料包括二氧化硅、氮化硅、碳化硅、多孔硅、氟化非晶碳、氟聚合物、聚对二甲苯、聚芳醚、氢倍半硅氧烷、交联聚苯聚合物、双苯环丁烯、氟化二氧化硅、碳掺杂氧化物和金刚石中的一种或多种或是它们的组合。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述的第二部分包含一个凸桥。

5.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述的第一电极的第一末端部与第二末端部是斜面状或阶梯状或垂直状。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述的第一电极的第一末端部超过声学镜的第一边缘并位于介电层之上。

7.根据权利要求6所述的声波谐振器,其特征在于,所述的声学镜的第一边缘与第二电极的主体部和凸桥部的交界处之间存在一段距离。

8.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述的第一电极的第一末端部位于声学镜的第一边缘和第二边缘之间。

9.根据权利要求8所述的声波谐振器,其特征在于,所述的第一电极的主体部和第一末端部的连接处,与第二电极的主体部和凸桥部的连接处之间存在一段距离。

10.一种声波谐振器,其特征在于,包括如下结构:

(a)具有上表面的基底;

(b)位于基底上表面或嵌于基底内部的声学镜,所述的声学镜包含第一边缘和第二边缘;

(c)位于基底上的第一介电层,所述的第一介电层与声学镜的第一边缘和第二边缘充分接触;

(d)位于基底和声学镜上的第一电极,所述的第一电极包含第一末端部和第二末端部,并且至少有一个末端部在声学镜第一边缘与第二边缘之一的外部,且位于第一介电层之上;

(e)位于声学镜和第一介电层之上的第二介电层,所述的第二介电层与第一电极的第一末端部和第二末端部充分接触;

(f)位于第一电极和第二介电层上的压电层,所述的压电层位于第一电极第一末端部与第一电极被第二介电层间隔开;

(g)位于压电层上的第二电极,所述的第二电极有一部分位于声学镜的上方。

11.根据权利要求10所述的声波谐振器,其特征在于,所述的第二介电层为介质材料,所述的介质材料包括有二氧化硅、氮化硅、碳化硅、多孔硅、氟化非晶碳、氟聚合物、聚对二甲苯、聚芳醚、氢倍半硅氧烷、交联聚苯聚合物、双苯环丁烯、氟化二氧化硅、碳掺杂氧化物和金刚石中的一种或多种或是它们的组合。

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