[发明专利]等离子体显示面板无效

专利信息
申请号: 201010258917.3 申请日: 2010-08-18
公开(公告)号: CN101996835A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 林成炫;金荣奇 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J17/49 分类号: H01J17/49;H01J17/16;H01J17/04
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 陈万青;王珍仙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种等离子体显示面板(PDP)。

背景技术

PDP为在放电单元内利用气体放电产生的真空紫外(VUV)射线激发磷光体层来显示图像的显示器装置。因为PDP可被制成具有宽屏和高分辨率,所以它们作为下一代平板显示器已引起人们关注。

PDP具有普通的三电极表面放电结构。三电极表面放电结构包括前基板和后基板,其中前基板包括具有两个电极的显示电极,后基板与该前基板隔开一段距离布置并具有寻址电极。显示电极覆盖有介电层。前基板和后基板之间的空间被障壁分隔为多个其中注入了放电气体的放电单元。磷光体层形成在后基板上。

此外,保护层位于其上以在放电期间保护介电层免受离子撞击。

发明内容

根据本发明的一个实施方式,等离子体显示面板(PDP)具有改进的放电特性以及高亮度和高效率。

根据本发明的另一个实施方式,PDP包括彼此面对的第一基板和第二基板、在所述第一基板表面上的多个寻址电极、在所述第一基板上覆盖所述寻址电极的第一介电层、布置在所述第一基板和所述第二基板之间的空间内并分隔多个放电单元的障壁、在所述放电单元内的磷光体层、以与所述寻址电极的方向基本垂直的方向布置在面对所述第一基板的所述第二基板表面上的多个显示电极、在所述第二基板上覆盖所述显示电极的第二介电层、以及覆盖所述第二介电层的保护层。氧化锶(SrO)颗粒布置在所述保护层上。

所述SrO颗粒可包括至少5wt%的氧化锶。所述颗粒可进一步包括选自氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锌(ZnO)和氧化铝(Al2O3)中的另一种氧化物。

所述颗粒也可进一步包括选自氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一种氧化物;或氟。

所述颗粒可以具有约50nm~约10μm的平均粒径。

所述保护层可进一步包括在所述颗粒上的涂层。所述涂层可包括氧化物。所述氧化物可包括选自氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)和氧化硼(B2O4)中的至少一种氧化物。

所述涂层可包括氟。所述涂层可具有约5nm~约300nm的厚度。

所述保护层可进一步包括布置在多个颗粒下的薄膜,且所述薄膜可包括氧化镁(MgO)。

PDP可进一步包括填充在所述放电单元内的放电气体,且所述放电气体可包括氙(Xe)。氙可以以至少10%的分压比包含于其中。

附图说明

图1为根据本发明一个实施方式的PDP分解透视图。

图2为图1中所示PDP的第二显示面板的局部放大截面图。

图3为根据本发明另一个实施方式的颗粒的示意性透视图。

图4为表示颗粒晶体生长方向的X射线衍射(XRD)结果图。

图5为根据本发明一个实施方式的PDP的效率与电压关系图。

具体实施方式

现将参照附图描述本发明的示例性实施方式。然而,这些实施方式仅是示例性,且本发明不限于此。

在附图中,为了清楚而将层、膜、面板、区域等厚度放大。相同的附图标记在全文中表示相同元件。应理解的是,当诸如层、膜、区域或基板等元件称为在另一元件“上”时,此元件可直接在另一元件上,或者在插入的元件上。相反,当元件称为“直接”在另一元件“上”时,则不存在插入的元件。

图1和图2说明了根据本发明一个实施方式的等离子体显示面板(PDP)。图1为根据本发明一个实施方式的PDP分解透视图,图2为图1中所示PDP的第二显示面板的局部放大截面图。参照图1,本发明的等离子体显示面板(PDP)包括第一显示面板(或第一基板)20和第二显示面板(或第二基板)30,二者彼此平行布置且彼此隔开一段距离。

在第一基板1上,多个寻址电极3沿第一方向(图中的Y方向)布置,且第一介电层5覆盖寻址电极3。第一介电层5在防止放电期间阳离子或电子直接碰撞寻址电极3并防止损坏寻址电极3时会积聚壁电荷。

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