[发明专利]一种手性传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010257925.6 申请日: 2010-08-20
公开(公告)号: CN101963564A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 潘革波;王亦;崔铮 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01N5/02 分类号: G01N5/02;B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉
地址: 215125 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 手性 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种手性传感器,其特征在于:所述传感器的感测探头为硅基底上的微悬臂梁结构,并且所述微悬臂梁的变形梁上修饰有用于特异性吸附D型和L型手性分子的手性化合物。

2.根据权利要求1所述的一种手性传感器,其特征在于:所述用于特异性吸附D型和L型手性分子的手性化合物包括氨基酸、大环类化合物、卟啉类化合物。

3.根据权利要求2所述的一种手性传感器,其特征在于:所述大环类化合物至少包括环糊精、杯芳烃、冠醚。

4.根据权利要求1所述的一种手性传感器,其特征在于:所述微悬臂梁包括硅的微悬臂梁结构、二氧化硅的微悬臂梁结构及氮化硅的微悬臂梁结构,任一种微悬臂梁结构均包括变形梁及支撑底梁。

5.权利要求1所述一种手性传感器的制法,其特征在于:先在硅基底上利用刻蚀方法制作微悬臂梁;再将用于特异性吸附D型和L型手性分子的手性化合物通过共价或非共价的方法修饰到微悬臂梁的变形梁上,制成感测探头,并将所述感测探头与振荡频率检测仪搭接为一体化集成的手性传感器。

6.根据权利要求5所述的一种手性传感器的制法,其特征在于:所述刻蚀方法制作微悬臂梁之前,还包括在硅基底上沉积制备二氧化硅层或氮化硅层,刻蚀的对象为后制备的二氧化硅层或氮化硅层。

7.权利要求1所述一种手性传感器的制法,其特征在于:先在硅基底上利用刻蚀方法制作微悬臂梁;再在微悬臂梁的支撑底梁上制备压电薄膜;最后将用于特异性吸附D型和L型手性分子的手性化合物通过共价或非共价的方法修饰到微悬臂梁的变形梁上,制成带微悬臂梁结构感测探头的手性传感器。

8.根据权利要求7所述的一种手性传感器的制法,其特征在于:所述刻蚀方法制作微悬臂梁之前,还包括在硅基底上沉积制备二氧化硅层或氮化硅层,刻蚀的对象为后制备的二氧化硅层或氮化硅层。

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