[发明专利]液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法有效
申请号: | 201010257674.1 | 申请日: | 2010-08-17 |
公开(公告)号: | CN101976655A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 侯胜雄 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G03F7/00;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 孙长龙 |
地址: | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 薄膜晶体管 与其 制作方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法,尤指一种提升开口率的液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法。
背景技术
由于液晶显示面板具有低辐射、体积小及低耗能等优点,因此广泛地应用在笔记型计算机、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)、平面电视,或行动电话等各种信息产品上。一般而言,液晶显示面板包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板、以及设置于薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间的一液晶层。再者,薄膜晶体管基板上定义有复数个像素区,并且于液晶显示面板的一侧另外设置一背光模块,用以提供一背光源。据此,透过控制各像素区施加于液晶层的电压,可以使各像素区呈现相对应的灰阶,进而达到画面显示的效果。此外,为了让电压能保持到下一次更新画面的时候之用,一般会于薄膜晶体管基板上设置储存电容。
然而,储存电容的材料为不透光金属层。此不透光金属层会阻挡光线的通过,降低各像素区的开口率,进而降低液晶显示面板的亮度。另一方面,若为了增加各像素区的开口率,而减少储存电容的各电极面积,将使液晶层的电压无法保持到下一次更新画面,进而影响显示画面的质量,例如导致影像闪烁等问题。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法,以解决公知技术所面临的问题。
本发明的一较佳实施例提供一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法,包括下列步骤。首先,提供一基板。接着,于基板上形成一透明导电层与一不透明导电层,其中不透明导电层设置于透明导电层上。之后,利用一灰阶光罩,使透明导电层与不透明导电层图案化,以形成至少一储存电容电极,其中储存电容电极包括一图案化透明导电层与一图案化不透明导电层,且图案化透明导电层的面积大于图案化不透明导电层的面积。随后,于储存电容电极上形成一第一绝缘层。再者,于基板上形成至少一栅极。接着,于栅极上依序至少形成一栅极绝缘层、一图案化半导体层、一源极与一漏极、以及一第二绝缘层。此外,于第二绝缘层与第一绝缘层上形成至少一像素电极,其中部分像素电极与部分储存电容电极彼此重迭,以形成一储存电容。
本发明的一较佳实施例提供一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板。上述液晶显示面板的薄膜晶体管基板包括一基板、一储存电容电极、一第一绝缘层、一栅极、一栅极绝缘层、一图案化半导体层、一源极与一漏极、一第二绝缘层、以及一像素电极。储存电容电极设置于基板上,其中储存电容电极包括一图案化透明导电层与一图案化不透明导电层,而图案化不透明导电层设置于图案化透明导电层上,且图案化透明导电层的面积大于图案化不透明导电层的面积。第一绝缘层设置于储存电容电极上。再者,栅极设置于基板上。栅极绝缘层、图案化半导体层、源极与一漏极、以及第二绝缘层依序设置于栅极上。像素电极设置于第二绝缘层与第一绝缘层上,其中部分像素电极与部分储存电容电极彼此重迭,以形成一储存电容。
本发明的液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法,利用一个灰阶光罩即可完成具有图案化透明导电层与图案化不透明导电层的储存电容电极。相较于利用两道光罩制程形成图案化透明导电层与图案化不透明导电层的方式,本发明可减少一道光罩数及缩减制程步骤,且可避免图案化透明导电层与图案化不透明导电层的层间对位精度差所造成的电性差异。再者,本发明可藉由面积较大的图案化透明导电层,增加储存电容的电容值,并且可藉由图案化透明导电层的透光性质,达到高开口率的效果。
附图说明
图1至图6绘示了本发明第一较佳实施例制作液晶显示面板的薄膜晶体管基板的示意图。
图7至图10绘示了本发明第二较佳实施例制作液晶显示面板的薄膜晶体管基板的示意图。
具体实施方式
在说明书及前述的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中具有通常知识者应可理解,制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及前述的权利要求范围并不以名称的差异来作为区别组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区别的基准。在通篇说明书及前述的权利要求当中所提及的「包括」为一开放式的用语,故应解释成「包括但不限定于」。此外,「电性连接」一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此,若文中描述一第一装置电性连接于一第二装置,则代表第一装置可直接连接于第二装置,或透过其它装置或连接手段间接地连接至第二装置。另外,需注意的是图式仅以说明为目的,并未依照原尺寸作图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司,未经华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造