[发明专利]PECVD系统中的气体混合装置、方法和系统无效
申请号: | 201010257532.5 | 申请日: | 2010-08-20 |
公开(公告)号: | CN102206813A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 戎华;黄冲;段巍;黄世东 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pecvd 系统 中的 气体 混合 装置 方法 | ||
1.一种PECVD系统中的气体混合装置,其特征在于,该装置包括:
至少两个进气管;
混合管,该混合管的一端与所述至少两个进气管相连并流体相通,该混合管的另一端与混合腔相连并与混合腔的内腔流体相通;
所述混合腔,该混合腔的壳体上具有至少一个出气孔,所述混合腔的内腔通过所述出气孔与所述PECVD系统的反应腔流体相通。
2.根据权利要求1所述的气体混合装置,其特征在于:
所述出气孔至少为两个,并在所述混合腔的壳体上均匀分布。
3.根据权利要求2所述的气体混合装置,其特征在于:
所述混合腔置于所述反应腔内部。
4.根据权利要求3所述的气体混合装置,其特征在于:
所述混合腔为环形管;
所述至少两个出气孔在所述环形管的壳体上设置为两两中心对称的方式。
5.根据权利要求4所述的气体混合装置,其特征在于:
所述至少两个出气孔设置在所述环形管直径较小一侧的壳体上,并且所述出气孔的开口朝向正对所述环形管的圆心。
6.根据权利要求5所述的气体混合装置,其特征在于:
所述环形管的横截面为圆形或矩形。
7.根据权利要求3所述的气体混合装置,其特征在于:
所述混合腔为圆柱体;
所述至少两个出气孔平行排列地设置在所述圆柱体的底面上。
8.根据权利要求2所述的气体混合装置,其特征在于:
所述混合腔置于所述反应腔外部;
所述出气孔通过一段管道与所述PECVD系统的反应腔流体相通。
9.根据权利要求8所述的气体混合装置,其特征在于:
所述管道的进气端与所述出气孔相连并流体相通,该管道的出气端均匀布置在所述反应腔内,并与所述反应腔流体相通。
10.一种PECVD系统中混合气体的方法,其特征在于,该方法包括:
各原料气体分别通过至少两个进气管进入混合管;
所述各原料气体在所述混合管内进行混合后,通过该混合管进入混合腔的内腔内;
所述进入了混合腔的内腔的混合气体通过设置在该混合腔的壳体上的至少一个出气孔进入所述PECVD系统的反应腔内。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:
所述混合腔置于所述反应腔内部;
所述出气孔至少为两个,并均匀分布在所述混合腔的壳体上。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:
所述混合腔为环形管,所述出气孔中心对称地布置在该环形管上;或
所述混合腔为圆柱体,所述出气孔平行排列地布置在该圆柱体的底面上。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:
所述混合腔置于所述反应腔外部;
所述出气孔至少为两个,并且所述出气孔通过一段管道与所述反应腔流体相通,其中,
所述管道的进气端与所述出气孔相连并流体相通,该管道的出气端均匀布置在所述反应腔内,并与所述反应腔流体相通。
14.根据权利要求10至13任一项所述的方法,其特征在于:
所述原料气体是两种气体,第一原料气体是SiH4,所述第二原料气体是NH3。
15.一种沉积氮化硅膜的管式PECVD系统,其特征在于:
该系统使用了如权利要求1至9任一项所述的气体混合装置;或
该系统使用了如权利要求10至13任一项所述的PECVD系统中混合气体的方法。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的