[发明专利]用于MCZ单晶炉的非对称勾形磁场的三维优化设计方法有效
| 申请号: | 201010257476.5 | 申请日: | 2010-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN101923591A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
| 发明(设计)人: | 刘丁;焦尚彬;弋英民 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 罗笛 |
| 地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 mcz 单晶炉 对称 磁场 三维 优化 设计 方法 | ||
1.一种用于MCZ单晶炉的非对称勾形磁场的三维优化设计方法,其特征在于,包括磁场结构参数优化设计和线圈规格参数优化设计,
磁场结构参数优化设计具体按照以下步骤实施:
步骤1:利用ansys数值分析软件建立磁场三维立体模型(1);
步骤2:改变步骤1得到的磁场三维立体模型(1)参数,分析磁场磁感应强度随上部线圈和下部线圈之间的间距、线圈横向匝数及屏蔽体厚度变化的关系,根据设定的磁场磁感应强度确定上部线圈和下部线圈之间的间距、线圈横向匝数及屏蔽体厚度;同时在磁场功率一定的条件下,以磁感应强度在固液交接面处径向分量Br≥Brmin、轴向分量Bz≤Bzmax的公共区域最宽为优化目标,确定磁场上部线圈的纵向层数和下部线圈的纵向层数;
线圈规格参数优化设计具体按照以下步骤实施:
步骤1:
确立线圈发热w1与线圈截面积s的数学关系表达式:
式中,I为通电电流,l为线圈的总长度,s为线圈截面积,ρ0为0℃时的电阻率,a为电阻率温度系数,t为铜壁的实际温度;
确立线圈铜壁传热w2与特征尺寸de、流体的平均流速V、铜管壁与冷却水的温度差Δt的数学关系表达式:
式中,λ为水的热导率,de为特征尺寸,A为铜壁总的传热面积,V为流体的平均流速,v为流体的运动粘度,Pr为普朗特数,Δt为铜管壁与冷却水的温度差;
确立冷却水吸收的热量w3与冷却水路支路数n、冷却水流量qm、水的比热容c、出口水的水温t2、进口水的水温t1之间的数学关系表达式:
w3=qmc(t2-t1)·n,
式中,qm为冷却水流量,c为水的比热容,t2为出口水温,t1为进口水温,n为冷却水路支路数;
步骤2:由w1=w2=w3建立系统的优化模型,
目标函数为:
约束条件为:Δt+t2<40,
hf<20,
其中Δt+t2为铜管壁温度,hf为线圈沿程损失,用ansys软件对磁场线圈规格参数进行优化,得到线圈截面积s、特征尺寸de、流体的平均流速V、铜管壁与冷却水的温度差Δt、冷却水路支路数n、冷却水流量qm、水的比热容c、出口水温t2、进口水温t1。
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