[发明专利]双滤光片切换器供电电路无效

专利信息
申请号: 201010257422.9 申请日: 2010-08-19
公开(公告)号: CN102375300A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 谢明志 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G03B17/14 分类号: G03B17/14;G02B7/00;H02M3/155
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 滤光 切换 供电 电路
【权利要求书】:

1.一种双滤光片切换器供电电路,其包括:

一个识别模块,用于根据外部光线的亮度低于或高于一个设定亮度而分别产生一个第一识别信号或一个第二识别信号;

一个供电模式模块,用于根据双滤光片切换器不同的供电模式,产生对应的供电电压;

一个切换模块,包括两个用于连接至一个双滤光片切换器的连接节点,用于根据该第一识别信号及第二识别信号,将该供电电压加载至对应的一个连接节点;

一个电源模块,用于连接一个外部直流电源,并产生一个维持该识别模块、该供电模式模块及该切换模块正常工作的工作电压。

2.如权利要求1所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该电源模块包括一个直流电压对直流电压的转换模块,两个电阻及两个电容;该转换模块包括一个连接至该外部直流电源的输入端、一个用于输出该工作电压的输出端及一个反馈端,该两个电阻串联在该输出端与地之间,该反馈端连接至该两个电阻之间,该输入端及该输出端分别通过该两个电容接地。

3.如权利要求2所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该转换模块为低压差线性稳压器。

4.如权利要求1所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该识别模块包括一个光电式传感器,一个NPN型的第一三极管及第一、第二、第三电阻,该光电式传感器与该第一电阻串联在该工作电压与地之间,该第一三极管的基极通过该第二电阻连接至该光电式传感器与该第一电阻之间,该第一三极管的射极接地,该第一三极管的集电极通过该第三电阻连接至该工作电压,该第一三极管的集电极输出该第一识别信号或一个第二识别信号。

5.如权利要求4所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该光电式传感器为根据外部光线而变化阻值的光敏电阻。

6.如权利要求4所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该第一电阻为可调电阻。

7.如权利要求4所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该切换模块包括第四、第五、第六、第七电阻,NPN型的第二、第三三极管,N沟道的第一、第二MOS管及P沟道的第三、第四MOS管;该第二三极管的基极通过该第一电阻连接至该第一三极管的集电极,该第二三极管的射极接地,该第二三极管的集电极通过该第二电阻至该接工作电压;该第三三极管的基极通过该第三电阻连接至该第二三极管的集电极,该第三三极管的射极接地,该第三三极管的集电极通过该第四电阻连接该工作电压;该第二、第三MOS管的栅极都连接至该第二三极管的集电极,该第二MOS管的源极接地,该第二MOS管的漏极连接至该第三MOS管的源极,该第三MOS管的漏极连接至该供电电压;该第一、第四MOS管的栅极都连接至该第三三极管的集电极,该第四MOS管的源极接地,该第四MOS管的漏极连接至该第一MOS管的源极,该第四MOS管的漏极连接至该供电电压;该第二、第三MOS管之间的节点为该第一节点,该第一、第四MOS管之间的节点为该第二节点。

8.如权利要求1所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该供电模式模块包括一个中央处理器及一个第五MOS管,该中央处理器包括一个端口,该端口由该中央处理器控制其输出的电压,该端口连接至该第五MOS管的栅极,该第五MOS管的漏极连接至该工作电压,该第六MOS管的源极输出为该供电电压。

9.如权利要求8所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该第五MOS管为N沟道,该供电模式模块还包括一个P沟道的第六MOS管及一个第八电阻,该端口连接至该第六MOS管的栅极,该第六MOS管的源极接地,该第六MOS管的漏极通过该第八电阻连接至该工作电压,该第五MOS管的栅极连接至该第六MOS管的漏极。

10.如权利要求8所述的双滤光片切换器供电电路,其特征在于,该供电模式模块还包括三个上拉电阻及三个开关,该中央处理器还包括三个模式端口;该三个模式端口分别通过该三个上拉电阻连接至该工作电压,同时还分别通过该三个开关接地;当一个开关接通其余两个开关打开而使一个模式端口处于低电平状态时,该中央处理器控制该端口输出持续高电平、脉冲信号或者瞬时高电平。

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