[发明专利]N型射频LDMOS的制造方法

权利要求书

1.一种N型射频LDMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在一P型硅衬底上形成第一层P型外延层，在所述第一层P型外延层中形成P型沉阱的区域进行所述P型沉阱的P型杂质离子注入；

步骤二、在所述第一层P型外延层的全部区域进行N型埋层的N型杂质离子注入；

步骤三、重复步骤中的所述第一层P型外延层的生长工艺在所述第一层P型外延层上重复生长多层中间P型外延层和最顶层P型外延层；每层所述中间P型外延层生长后都重复步骤一中的所述P型沉阱的P型杂质离子注入工艺和步骤二中的所述N型埋层的N型杂质离子注入工艺对每层所述中间P型外延层进行离子注入；所述最顶层P型外延层生长后重复步骤一中的所述P型沉阱的P型杂质离子注入工艺对所述最顶层P型外延层进行离子注入；

步骤四、对所述P型硅衬底进行退火推进，形成所述P型沉阱和在各P型外延层界面处形成所述N型埋层；

步骤五、形成所述N型射频LDMOS的P阱、漂移区、源极、栅极、漏极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述第一层P型外延层、步骤三中的各所述中间P型外延层和所述最顶层P型外延层的掺杂杂质为硼、杂质体浓度为1.0E14cm^-3～1.0E15cm^-3。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一和步骤三中所述P型沉阱的P型杂质离子注入的工艺条件为：注入杂质为硼、注入剂量为1.0E15cm^-2～1.0E16cm^-2、注入能量为50keV～150keV。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二和步骤三中所述N型埋层的N型杂质离子注入的工艺条件为：注入杂质为磷或砷、注入剂量为1.0E12cm^-2～1.0E13cm^-2、注入能量为30keV～100keV。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多层中间P型外延层的层数大于等于0，所述第一层P型外延层、各所述中间P型外延层、所述最顶层P型外延层的各层厚度、总层数以及总厚度能根据器件的耐压要求进行调整，各所述P型外延层的厚度和器件的耐压关系为15V/μm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中所述退火推进的温度为1000℃～1200℃、时间为30分钟～2小时。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中在各P型外延层界面处形成所述N型埋层的厚度为0.5μm～1μm、体浓度为1.0E15cm^-3～1.0E16cm^-3。