[发明专利]100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片有效
| 申请号： | 201010257230.8 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101914811A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | J·R·杰尼 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 100 毫米 高纯 绝缘 碳化硅 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.碳化硅晶片，包括：
单一多型体的单晶；
直径大于75毫米；
电阻率大于10000ohm-cm；
微管密度小于200cm-2；以及
浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm-3。
2.依据权利要求1的晶片，其具有的直径大约100mm。
3.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米100个。
4.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米30个。
5.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米15个。
6.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米5个。
7.依据权利要求1的沿轴碳化硅晶片。
8.依据权利要求1的离轴碳化硅晶片。
9.依据权利要求8的碳化硅晶片，其中离轴取向的量选自8°，4°和3.5°。
10.依据权利要求1的晶片，其中所述的多型体选自碳化硅的3C，4H，6H和15R多型体。
11.依据权利要求1的晶片，进一步包括选自碳化硅和III族氮化物的外延层。
12.依据权利要求1的晶片，其具有的氮原子浓度小于大约2×1015cm-3。
13.依据权利要求1的晶片，其中钒的浓度小于1×1014cm-3。
14.依据权利要求1的晶片，其具有的电阻率在室温下为至少50000-cm。
15.依据权利要求1的晶片，其具有的点缺陷浓度不超过5×1017cm-3。
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