[发明专利]一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，该电池是在第一导电类型衬底的迎光面上依序具有一迎光面第二导电类型层和一介质钝化层，所述介质钝化层表面为广谱减反结构；在第一导电类型衬底的背光面依序具有一背光面第一导电类型层及一背光面第二导电类型层；在所述迎光面第二导电类型层上形成第一电极、在所述背光面第二导电类型层上形成第二电极、在所述背光面第一导电类型层上形成第三电极，构成所述双结太阳电池。

2.根据权利要求1所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其中所述背光面第二导电类型层上具有开口，暴露出所述背光面第一导电类型层，并在其上形成所述第三电极。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，其中所述第一导电类型衬底为第一导电类型Si衬底；所述迎光面第二导电类型层为掺入第二导电类型杂质的Si、Al_1-xGa_xAs、Ga_1-xIn_xP薄膜，其中0≤x＜1，其能带带隙宽于或等于第一导电类型Si衬底的能带带隙。

4.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，其中所述背光面第一导电类型层为重掺第一导电类型杂质的Si层，或掺入VI族元素硫S、硒Se或碲Te的Si层，或掺入II族元素锌Zn或镉Cd的Si层；所述掺入VI族或II族元素，其中的一部分在Si能带带隙中部形成了深能级，而另一部分为替位式掺杂。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，其中所述背光面第二导电类型层为掺入第二导电类型杂质的Si、Ge、InAs、InSb、或GaSb薄膜，其能带带隙等于或窄于第一导电类型Si衬底的能带带隙，或为掺入第二导电类型杂质的非晶硅、纳晶硅或微晶硅薄层。

6.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，其中所述广谱减反结构为表面晶锥阵列，或者为表面金字塔。

7.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，其中所述背光面第一导电类型层为掺入VI族或II族元素的Si层，所述背光面第二导电类型层为掺入第二导电类型杂质的Si、Ge、InAs、InSb、GaSb、Al_1-xGa_xAs、或Ga_1-xIn_xP薄膜，其中0≤x＜1，或为掺入第二导电类型杂质的非晶硅、纳晶硅或微晶硅薄层。

8.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，其中所述的背光面第一导电类型层为重掺第一导电类型杂质的Si层，所述的背光面第二导电类型层为掺入第二导电类型杂质的Ge、InAs、InSb、或GaSb窄带隙半导体薄膜。

9.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，所述宽谱是由于不同能带带隙对太阳光分别进行吸收和光电转换；所述双结是因为每个电池具有迎光面pn结和背光面pn结，形成pnp或npn双结电池，分别由三个电极输出，且第二电极与第一电极具有相同的电学特性。

10.根据权利要求1或2中任一项所述的宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，相邻电池的同种电极相互连接，并联，形成电池板组件的两端输出；其中：

所述同种电极相互连接，是将组件内各个电池的第一电极相互连接、组件内各个电池的第二电极相互连接、组件内各个电池的第三电极相互连接；

所述总体并联，形成电池板组件的两端输出，是指电池组件内汇总后的第二电极与电池组件内汇总后的第一电极进行最终并联，形成电池板组件的两端输出。