[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201010256136.0 | 申请日: | 2010-08-17 |
公开(公告)号: | CN102237391A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 金昌男 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;王凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
本申请要求2010年4月21日提交的韩国专利申请No.10-2010-0036772的优先权,此处以引证的方式并入其内容。
在有机发光二极管(OLED)显示器中使用的有机发光元件具有自发光结构,在该自发光结构中在基板上两个电极之间形成发光层。根据发光方向,OLED显示器可以分成顶部发光型OLED显示器、底部发光型OLED显示器、和双发光型OLED显示器。根据驱动方式,OLED显示器可以分成无源矩阵型OLED显示器和有源矩阵型OLED显示器。
在OLED显示器中,多个子像素中的每一个子像素都包括晶体管单元和发光单元。晶体管单元包括开关晶体管、驱动晶体管、和电容器,而发光单元包括连接到驱动晶体管的下电极、有机发光层、和上电极。当向以矩阵形式布置的多个子像素提供扫描信号、数据信号、电力等时,被选择的子像素发光以由此显示图像。
在OLED显示器中,接触电极形成在非显示区中以向形成在显示区中的子像素的上电极供电。此外,接触电极在上电极的形成工序中电连接到上电极。但是,在相关技术的OLED显示器中,在形成在非显示区中的接触电极与形成在显示区中的上电极之间没有实现平顺接触,因而在接触电极与上电极之间产生了短路。此外,接触电极由于电场集中在接触电极的上边缘上而可能受到损坏。
发明内容
在一个方面,一种有机发光二极管显示器包括:包括显示区和非显示区的基板;以矩阵形式布置在所述显示区中的子像素;形成在所述非显示区中的接触电极,该接触电极传输从外部接收到的电力,并且包括各个子像素中所包括的电极中的至少一个电极;以及包括各个子像素中所包括的绝缘层中的至少一个绝缘层的接触单元,该接触单元露出所述接触电极的一部分,其中,各个子像素中所包括的上电极形成在所述显示区和所述非显示区中,并且通过所述接触单元电连接到所述接触电极。
附图说明
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解,并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分,附图示出了本发明的实施方式,且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是示意性地例示了有机发光二极管(OLED)显示器的框图;
图2例示了图1所示的子像素的电路结构;
图3是示意性地例示了图1所示的OLED显示器的平面图;
图4是图3所示的子像素的截面图;
图5到图7例示了根据本发明的第一示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构;
图8到图10例示了根据本发明的第二示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构;
图11和图12例示了根据本发明的第三示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构;
图13到图15例示了根据本发明的第四示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构;
图16和图17例示了根据本发明的第五示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构;
图18和图19例示了根据本发明的第六示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构;以及
图20和图21例示了根据本发明的第七示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施方式,在附图中例示出了其示例。
图1是示意性地例示了有机发光二极管(OLED)显示器的框图。图2例示了图1所示的子像素的电路结构。图3是示意性地例示了图1所示的OLED显示器的平面图。图4是图3所示的子像素的截面图。
如图1和图2所示,该OLED显示器包括定时控制器TCN、数据驱动器DDRV、扫描驱动器SDRV、电源单元PWR、以及面板PNL。
定时控制器TCN使用数据驱动信号DDC来控制数据驱动器DDRV,并且同时使用选通驱动信号GDC来控制扫描驱动器SDRV。定时控制器TCN把从外部接收的视频信号转换成数据信号DATA并且将数据信号DATA提供给数据驱动器DDRV。定时控制器TCN可以以集成电路(IC)形式安装到与面板PNL相连的印刷电路板(PCB)上。
数据驱动器DDRV在定时控制器TCN的控制下通过位于面板PNL上的数据线DL1到DLn向子像素SP提供数据信号DATA。数据驱动器DDRV可以以IC形式安装在面板PNL上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的