[发明专利]发光二极管封装体有效

专利信息
申请号: 201010256092.1 申请日: 2010-08-17
公开(公告)号: CN101997076A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 李进馥;朴熙锡;金亨根;李永镇 申请(专利权)人: 三星LED株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;李娜娜
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装
【说明书】:

本申请要求于2009年8月18日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0076407号韩国专利申请的权益,该申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装体,更具体地讲,涉及一种将安装有LED芯片的腔体的尺寸最小化以提高亮度的发光二极管封装体。

背景技术

发光二极管(LED)指的是半导体器件,它可以通过改变化合物半导体材料(如GaAs、AlGaAs、GaN、InGaInP等)形成发光源来实现各种颜色的光束。

通常,对LED产品性能的确定有影响的因素包括颜色、亮度、光转换效率等。主要地,由作为主要因素的LED中使用的化合物半导体材料以及作为次要因素的LED芯片安装的封装结构来确定LED产品的性能。

因此,为了开发满足用户要求的高亮度产品,由于仅通过类似材料开发的主要因素来开发期望的产品具有一定的局限性,所以大量的关注点聚集在封装体结构上。具体地讲,由于LED封装体的使用范围扩大为包括诸如室内/室外照明装置、LCD的背光单元、汽车的头灯等各种领域,所以要求LED封装体具有高亮度特性。

假定在光束具有相同的光通量的情况下,随着光源面积的减小,亮度增大,其中,亮度的单位用cd/mm2表示。因此,为了获得高亮度的LED,要求光源具有最小的尺寸。

现有技术中,通过将LED芯片安装到其上形成有腔体的封装模具中,执行引线键合,然后在腔体上涂覆光透射树脂来制造LED封装体。

然而,在现有技术的LED封装体中,由于LED芯片与引线一起位于腔体内,所以腔体尺寸的减小受到限制。在这种情况下,由于如果腔体的尺寸较大,则光学系统中感测的光源的实际尺寸变大。因此,问题在于亮度劣化。

发明内容

已经提出了本发明来克服上述问题,因此,本发明的目的在于提供这样一种发光二极管封装体,即,减小安装有LED芯片的腔体的尺寸,从而通过光源的减小来提高亮度。

根据本发明实现目标的一个方面,提供了一种发光二极管封装体,所述发光二极管封装体包括:封装体模具,具有第一腔体和第二腔体,第二腔体的尺寸小于第一腔体的尺寸;第一电极焊盘和第二电极焊盘,分别设置在第一腔体和第二腔体的底表面上;LED芯片,安装在第一电极焊盘上;引线,用于提供LED芯片和第二电极焊盘之间的电连接;模制材料,填充在第一腔体和第二腔体内。

这里,第一腔体和第二腔体形成为具有相同的深度。

另外,第二腔体形成为具有比第一腔体的深度小的深度。

另外,第一腔体和第二腔体相互接触。

另外,第一腔体和第二腔体被设置成彼此分隔开。

另外,发光二极管封装体还包括形成在第一腔体和第二腔体之间的封装体模具上的槽,从而第一腔体的顶部和第二腔体的顶部相互连通。

另外,槽的尺寸小于第二腔体的尺寸。

另外,槽被形成为具有比第一腔体的深度小的深度。

根据本发明实现目标的另一方面,提供了一种发光二极管封装体,所述发光二极管封装体包括:封装体模具,设置有第一腔体和多个第二腔体,第二腔体的尺寸小于第一腔体的尺寸;多个第一电极焊盘,设置成数量与第二腔体的数量相同并位于第一腔体的底表面上;第二电极焊盘,设置在第二腔体的底表面上;LED芯片,安装在每个第一电极焊盘上;引线,用于提供LED芯片和第二电极焊盘的电连接;模制材料,填充在第一腔体和第二腔体内。

这里,第一腔体和第二腔体形成为具有相同的深度。

另外,第二腔体形成为具有比第一腔体的深度小的深度。

另外,第一腔体和第二腔体相互接触。

另外,第一腔体和第二腔体被设置成彼此分隔开。

附图说明

通过下面结合附图对实施例进行的描述,本发明总体构思的这些和/或其它方面和优点将会变得清楚并更易于理解,其中:

图1是示出了根据本发明第一实施例的发光二极管封装体的结构的平面图;

图2是示出了图1中示出的发光二极管封装体的结构的剖视图;

图3是根据本发明第一实施例的变形示例的发光二极管封装体的剖视图;

图4是示出了根据本发明第二实施例的发光二极管封装体的结构的平面图;

图5是示出了图4中示出的发光二极管封装体的结构的剖视图;

图6是示出了根据本发明第三实施例的发光二极管封装体的结构的平面图;

图7是沿图6中的线I-I′截取的剖视图;

图8是沿图6中的线II-II′截取的剖视图;

图9是示出了根据本发明第四实施例的发光二极管封装体的结构的平面图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星LED株式会社,未经三星LED株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010256092.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top