[发明专利]屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

一个衬底；

一个在衬底中的有源栅极沟道；以及

一个在衬底中的不对称沟道；其中：

不对称沟道具有第一个沟道壁和第二个沟道壁；

第一个沟道壁内衬具有第一厚度的氧化物；以及

第二个沟道壁内衬具有第二厚度的氧化物，不同于第一厚度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件是一种金属氧化物半导体场效应管。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的不对称沟道为一终止沟道，从一低势能区中分离出一高势能区。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述的不对称沟道还作为一个栅极滑道，同有源栅极沟道中的栅极连接在一起。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述的第一厚度大于第二厚度；以及

所述的第一个沟道壁比第二个沟道壁更靠近终止区。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述的第一厚度大于第二厚度；以及

所述的第二个沟道壁比第一个沟道壁更靠近有源栅极沟道。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的有源栅极沟道内衬氧化物，该有源栅极氧化物的厚度与不对称沟道的第二厚度基本相同。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的不对称沟道包括一个顶部栅极电极和一个底部源极电极。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述的顶部栅极电极宽度小于底部源极电极的宽度。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的有源栅极电极包括一个顶部栅极电极和一个底部源极电极；顶部栅极电极的宽度大于底部源极电极的宽度。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括一个在不对称沟道附近的终止区。

12.如权利要求1所述的半导体器件，还包括一个位于衬底中的源极多晶硅接触沟道；其特征在于，其中：

所述的源极多晶硅接触沟道含有一个多晶硅电极；以及

所述的多晶硅电极的顶面位于本体区的底面下方。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括一个栅极接触孔，直接设置在不对称沟道中的第一个顶部栅极电极上方。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的不对称沟道比有源栅极沟道要宽。

15.一种半导体器件，包括：

一个衬底；

一个在衬底中的有源栅极沟道；以及

一个在衬底中的源极多晶硅连接沟道；其中：

所述的源极多晶硅连接沟道含有一个多晶硅电极；以及

所述的多晶硅电极的顶面位于本体区的底面下方。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件还包括一个用金属导体填充的接触孔，从多晶硅电极延伸到沉积在半导体器件顶面上的源极金属层。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述的接触孔宽度小于多晶硅电极的宽度。

18.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述的源极多晶硅连接沟道的深度大于有源栅极沟道的深度。

19.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述的源极多晶硅连接沟道比有源栅极沟道要窄。

20.一种半导体器件，包括：

一个衬底；

一个在衬底中的有源栅极沟道，包括一个第一顶部栅极电极和一个第

一底部源极电极；以及

一个栅极滑道沟道，包括一个第二顶部栅极电极和一个第二底部源极

电极；其中：

所述的第二顶部栅极电极比第二底部源极电极要窄。

21.如权利要求20所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道为终止沟道，将低势能区与高势能区分离开。

22.如权利要求20所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道围绕并连接多个有源栅极沟道。