[发明专利]一种离子注入剂量检测控制方法有效
| 申请号： | 201010255031.3 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102376519A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 汪明刚;刘杰;夏洋;李超波;陈瑶;赵丽莉;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 剂量 检测 控制 方法 | ||
1.一种离子注入剂量检测控制方法，其特征在于，包括：
测量等离子体中的离子密度、电子温度以及等离子体中的粒子组分和各组分的粒子含量；
将等离子体中的所有离子和基团的质量等效为相同质量；将等离子体中的所有离子和基团的带电荷量等效为相同带电荷量；
当等离子体目标注入剂量确定时，利用准静态蔡尔德-朗缪尔鞘层注入模型理论，计算得到该目标注入剂量的注入工艺时间；及
当等离子体注入工艺时间确定时，利用准静态蔡尔德-朗缪尔鞘层注入模型理论，计算得到该注入工艺时间内的注入离子剂量。
2.根据权利要求1所述的离子注入剂量检测控制方法，其特征在于，根据所述离子密度、电子温度以及等离子体中的粒子组分和各组分的粒子含量，利用所述准静态蔡尔德-朗缪尔鞘层注入模型理论，通过公式Tim＝N/(f×dosepulse)，计算得到该目标注入剂量的注入工艺时间；其中Tim为注入时间，N为基片达到的掺杂浓度，f为脉冲偏压频率，dosepulse为单一脉冲注入基片的离子剂量。
3.根据权利要求1所述的离子注入剂量检测控制方法，其特征在于，根据所述离子密度、电子温度以及等离子体中的粒子组分和各组分的粒子含量，利用所述准静态蔡尔德-朗缪尔鞘层注入模型理论，通过公式N＝Tim×f×dosepulse，计算得到该注入工艺时间内的注入离子剂量；
其中Tim为注入时间，N为基片达到的掺杂浓度，f为脉冲偏压频率，dosepulse为单一脉冲注入基片的离子剂量。
4.根据权利要求1所述的离子注入剂量检测控制方法，其特征在于，利用质谱仪测量等离子体中的粒子组分和各组分的粒子含量。
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