[发明专利]一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物及其使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物及使用该刻蚀组合物的刻蚀方法。更具体地讲，本发明涉及一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物及使用该刻蚀组合物的刻蚀方法，所述组合物适合于处理用于制造液晶显示器(称为“LCD”)或等离子体显示器面板(称为“PDP”)的工艺的大尺寸基板，如大尺寸光掩膜。

背景技术

通常，在制造LCD或PDP的工艺中，使用光刻法形成微图形。使用光刻法形成微图形是通过如下工艺进行的：将形成于基板上的抗蚀膜曝光以形成所需图形；使有图形的抗蚀膜显影以形成抗蚀图；利用所述抗蚀图来刻蚀所述基板；和除去残余的抗蚀图。

在显影工艺中，使形成于基板上的抗蚀膜曝光以形成所需图形，然后将显影剂供应到基板的表面，接着抗蚀膜的一部分被显影剂熔化，因而形成抗蚀图。此外，在刻蚀工艺中，使用抗蚀图作为掩膜来刻蚀基板。在这种情况下，由于基板包括透明玻璃基板和形成于该透明玻璃基板上的金属薄膜，通过将刻蚀剂供应到基板的表面来刻蚀通过抗蚀图曝光的金属薄膜，因而在透明玻璃基板上形成所需图形。

按照惯例，上述刻蚀工艺通常通过使用设置在基板上的多个喷嘴将刻蚀剂喷雾到基板表面来进行，从而在使用多个水平布置的滚筒水平输送基板时，所述喷嘴两两相对。

然而，随着基板如LCD、PDP或类似物的尺寸增大，存在如下问题：在水平输送基板时，用于进行将刻蚀剂喷雾到基板表面的工艺的刻蚀装置的尺寸也要增大。

此外，存在如下问题，由于基板是水平设置的，当基板尺寸增大时刻蚀剂容易停留在基板表面上，结果是所述基板容易被不均匀地处理。为了防止基板被不均匀地处理，在滚筒上左右移动基板以保持其水平地输送基板时需要将刻蚀剂通过所有喷嘴同时供应给基板。由于这个原因，大量的刻蚀剂被浪费，因而提高了成本。此外，由于刻蚀装置需要一个比基板尺寸更大的区域以在处理过程中左右移动基板且保持它水平，刻蚀装置的尺寸必须随着基板尺寸的增大而增大。

为了解决以上问题，最近进行了许多尝试。一种尝试是使用坡面型刻蚀装置倾斜地刻蚀基板的方法。根据所述坡面型刻蚀装置，当保持基板使得基板相对水平面的坡度在预定范围内时，将刻蚀剂供应到基板，以致与基板保持水平时相比，基板可在比基板尺寸小的区域内被处理，结果是不需要增大基板处理装置的尺寸。此外，所述坡面型刻蚀装置的优势在于：与常规水平刻蚀装置相比，可减少其中所用的刻蚀剂的量。

然而，当已经用于常规水平刻蚀装置的刻蚀剂被用于使用这种坡面型刻蚀装置倾斜地刻蚀基板的方法中时，有基板不能被均匀地刻蚀的问题。因此，需要开发一种适合于坡面型刻蚀装置的刻蚀剂。

发明内容

相应地，本发明旨在解决上述问题，且本发明的一个目的是提供一种适合于坡面型刻蚀装置的新型刻蚀组合物及使用该刻蚀组合物的刻蚀方法。

为了实现以上目的，本发明的一个方面提供一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物，包括：64～72wt％的磷酸；4～8wt％的硝酸；4～15wt％的乙酸；0.1～3wt％的选自由硝酸钾、乙酸钾和磷酸钾所组成的组的至少一种钾盐化合物；和余量水。

本发明的另一方面提供一种使用坡面型刻蚀装置刻蚀基板的方法，其中使用所述刻蚀组合物。

附图说明

由结合附图的以下详细说明将更清楚地理解本发明的上述和其它目的、特征和优点，其中：

图1是显示坡面型刻蚀装置的一个实施例的示意剖面侧视图，其中使用本发明刻蚀组合物；和

图2是显示具有五个部分的基板的平面图，其中倾斜角(TA)和临界尺寸(CD)损失按照本发明一个实施方案测得。

具体实施方式

下面，将参考附图对本发明进行详细描述。

本发明提供了一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物，包括磷酸、硝酸、乙酸、钾盐化合物和水。具体地讲，本发明提供了一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物，包括：64～72wt％的磷酸；4～8wt％的硝酸；4～15wt％的乙酸；0.1～3wt％的选自由硝酸钾、乙酸钾和磷酸钾所组成的组的至少一种钾盐化合物；和余量水。

由以下实施例将更清楚地理解构成所述刻蚀组合物的组分的数值限定。当各组分的含量偏离上述范围时，难以均匀地刻蚀基板，从而，以后会发生如斑点、瑕疵和类似的问题。