[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造半导体装置的系统及方法，尤其涉及一种工艺进行期间运送及支承半导体晶片的系统及方法。

背景技术

一般来说，静电吸盘可在进行半导体晶片工艺期间使用，用以支承及运送半导体晶片及其载板。静电吸盘不同于通过作为物理夹钳的机械式吸盘来支承晶片，晶片与载板的支承是通过施加电荷于一平板上并产生静电力以支承半导体晶片。上述配置允许静电吸盘避免与晶片待处理侧接触(一种典型钳夹机械式吸盘无法避免的接触)，进而防止晶片待处理侧的损害。

然而，近年来半导体晶片的厚度下降，特别是基底通孔电极(through-substrate via)的出现以及半导体晶片薄化需求，静电吸盘出现了问题。也即，薄晶片通常采用绝缘载板(例如，玻璃)以帮助支承薄半导体晶片结构。然而，绝缘载板本身具有小库伦力，且薄半导体晶片的库伦力小于先前厚晶片，而为了在静电吸盘与晶片/载板组合之间提供足够的吸引力，以在吸盘上支承晶片/载板组合，这些晶片及载板需要越来越大的偏压。然而，上述大偏压不仅因为需要更多能量而增加制造成本，而且也会在半导体晶片进行工艺期间遭到损害。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明一实施例中，一半导体装置包括一半导体晶片载板。半导体晶片载板包括一介电材料。半导体晶片载板也包括一导电掺杂物，其位于介电材料内。

本发明另一实施例中，一半导体装置包括一半导体晶片载板，用以承载半导体晶片。半导体晶片载板也包括一介电材料。导电通孔结构位于介电材料内。

本发明又一实施例中，一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体晶片，其包括一基底及延伸进入一部分的基底内的一或多个基底通孔电极；提供一载板，其包括一或多个离子掺杂物；以及将半导体晶片贴附至载板。

本发明又另一实施例中，一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体晶片，其包括一基底及延伸进入一部分的基底内的一或多个基底通孔电极；提供一载板，其包括多个导电通孔结构；以及将半导体晶片贴附至载板。

本发明又另一实施例中，一种半导体装置的制造方法，包括：提供一载板，其包括一第一基底及位于第一基底内的一或多个离子掺杂物；以及将载板贴附至一半导体晶片的一第一侧，半导体晶片包括一半导体基底及延伸进入半导体基底内的至少一导电通孔结构。

本发明可避免高电压施加于半导体晶片所潜在的任何负面效应，并具有更便宜的制造程序。

附图说明

图1示出根据一实施例的半导体晶片、粘着层及载板剖面示意图。

图2示出根据一实施例将图1中半导体晶片与载板放置于一静电吸盘的剖面示意图。

图3示出根据一实施例的载板剖面示意图，其包括导电层及通孔；以及

图4示出根据一实施例将图3中半导体晶片与载板放置于一静电吸盘的剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

101～半导体晶片；

103～粘着层；

105～载板；

107、305～第一侧；

109、307～第二侧；

111～基底通孔电极；

201～静电吸盘；

203～上表面；

205～电极；

207～电源；

209～开口；

301～导电层；

303～导电通孔结构。

具体实施方式

以下说明本发明实施例的制作与使用。然而，可轻易了解本发明实施例提供许多合适的发明概念而可实施于广泛的各种特定背景。所揭示的特定实施例仅仅用于说明以特定方法制作及使用本发明，并非用以局限本发明的范围。

以下实施例是以一特定背景作说明，也即一半导体晶片载板。然而，其他实施例也可应用于其他载板或支承结构。

请参照图1，其示出一半导体晶片101、一粘着层103以及一载板105。通常半导体晶片101包括多个各自的芯片，其中每一芯片包括一基底，其上形成了公知电子装置。基底上通常覆盖了一或多层介电层及导电层。这些导电层提供下方电子装置的连接及发送路线。

半导体晶片101可具有一第一侧107，其上具有电子装置、介电层及金属层。半导体晶片101已可具有一第二侧109位于背对第一侧107处。