[发明专利]主动元件阵列基板有效
| 申请号: | 201010254075.4 | 申请日: | 2010-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN101901802A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
| 发明(设计)人: | 洪敏翔;黄铭涌;邱骏仁;吴欲志;邱渊楠;曾庆安;黄彦衡 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 主动 元件 阵列 | ||
1.一种主动元件阵列基板,其特征在于,包括:
一基板;
多条扫描线,配置于该基板上;
多条数据线,配置于该基板上,这些扫描线与这些数据线交错以于该基板上定义出多个子像素区域;
多个像素,各该像素包括多个子像素,各该子像素分别配置于其中一子像素区域内,且各该子像素包括:
至少一晶体管,配置于该基板上,并与对应的扫描线及数据线电性连接,该晶体管具有一与对应的扫描线电性连接的栅极、一与对应的数据线电性连接的源极以及一漏极;
一像素电极,该像素电极与该漏极电性连接;
一彩色滤光薄膜,配置于其中一子像素区域内且位于该像素电极下方,其中部分该彩色滤光薄膜位于该像素电极与该扫描线之间,该像素电极与对应的扫描线耦合成一第一电容,而该漏极与对应的扫描线耦合成一第二电容;以及
其中在单一像素中,对应到不同彩色滤光薄膜的各该像素电极与该扫描线的耦合面积不同以使这些第一电容彼此实质上相同,且各该子像素内的该第二电容彼此实质上相同。
2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,在单一像素中,这些彩色滤光薄膜至少包括一第一彩色滤光薄膜、一第二彩色滤光薄膜以及一第三彩色滤光薄膜,该第一彩色滤光薄膜的介电常数为ε1,该第二彩色滤光薄膜的介电常数为ε2,该第三彩色滤光薄膜的介电常数为ε3,而该第一彩色滤光薄膜的厚度为D1,该第二彩色滤光薄膜的厚度为D2,该第三彩色滤光薄膜的厚度为D3,而这些像素电极包括一第一像素电极、一第二像素电极以及一第三像素电极,该第一像素电极与该扫描线的耦合面积为A1,该第二像素电极与该扫描线的耦合面积为A2,该第三像素电极与该扫描线的耦合面积为A3,且满足下列关系式:
(ε1×A1)/D1=(ε2×A2)/D2=(ε3×A3)/D3。
3.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板,其特征在于,ε1≠ε2≠ε3。
4.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板,其特征在于,D1≠D2≠D3。
5.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板,其特征在于,ε1≠ε2≠ε3,且D1≠D2≠D3。
6.一种主动元件阵列基板,其特征在于,包括:
一基板;
多条扫描线,配置于该基板上;
多条数据线,配置于该基板上,这些扫描线与这些数据线交错以于该基板上定义出多个子像素区域;
多个像素,各该像素包括多个子像素,各该子像素分别配置于其中一子像素区域内,且各该子像素包括:
至少一晶体管,配置于该基板上,并与对应的扫描线及数据线电性连接,该晶体管具有一与对应的扫描线电性连接的栅极、一与对应的数据线电性连接的源极以及一漏极;
一像素电极,该像素电极与该漏极电性连接;
一彩色滤光薄膜,配置于其中一子像素区域内且位于该像素电极下方,其中部分该彩色滤光薄膜位于该像素电极与该扫描线之间,该像素电极与对应的扫描线耦合成一第一电容,而该漏极与对应的扫描线耦合成一第二电容;以及
其中在单一像素中,不同的彩色滤光薄膜致使这些第一电容彼此不同,而各该子像素内的该第二电容彼此不同,且各该子像素内的该第一电容与该第二电容的总和实质上相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





