[发明专利]金属刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201010253806.3 申请日: 2010-08-12
公开(公告)号: CN102376567A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 王新鹏;张海洋 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213;H01L21/60
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 谢安昆;宋志强
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 金属 刻蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种金属刻蚀方法,该方法包括:

提供一基底,在基底上沉积金属层后,在金属层表面依次形成第一材料层、第二材料层和光阻胶PR,其中,第一材料层具有绝缘性;

对PR进行曝光、显影,形成光刻图案,并按照光刻图案对第二材料层进行刻蚀,然后去除光刻图案;

以刻蚀后的第二材料层作为掩膜,对第一材料层进行刻蚀;

以刻蚀后的第一材料层和第二材料层作为掩膜,对金属层进行刻蚀,然后依次去除刻蚀后的第二材料层和第一材料层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属层为铝金属层。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一材料层为聚酰亚胺、先进制程材料或有机底部抗反射涂层。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,

所述第一材料层的上表面与金属层上表面的距离为1000埃至4000埃。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二材料层为绝缘材料或金属。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第二材料层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氮化钽、钛或钽。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,第二材料层的上表面与第一材料层上表面的距离为400埃至1000埃。

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