[发明专利]半导体元件用外延基板、肖特基接合结构以及肖特基接合结构的漏电流抑制方法有效
| 申请号： | 201010251699.0 | 申请日： | 2010-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102024845A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 三好実人;市村干也;角谷茂明;杉山智彦;仓冈义孝;田中光浩 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;刘文君 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 外延 肖特基 接合 结构 以及 漏电 抑制 方法 | ||
1.一种半导体元件用外延基板，其由III族氮化物层群以(0001)结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，
其特征在于，具有
由组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1，z1＞0)的第一III族氮化物构成的沟道层和
由组成为Inx2Aly2N(x2+y2＝1，x2＞0，y2＞0)的第二III族氮化物构成的势垒层，
上述第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。
2.权利要求1所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，上述第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0.4＜α＜1范围的短程有序混晶。
3.权利要求1或2所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，上述第二III族氮化物的带隙比上述第一III族氮化物的带隙更大。
4.权利要求1至3中任一项所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，上述第一III族氮化物为Aly1Gaz1N(y1+z1＝1，z1＞0)。
5.权利要求4所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，上述第一III族氮化物为GaN。
6.权利要求1至5中任一项所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，上述第二III族氮化物为Inx2Aly2N(x2+y2＝1，0.14≤x2≤0.22)。
7.权利要求1至6中任一项所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，在上述沟道层与上述势垒层之间还具有隔离层，所述隔离层由至少含有Al、组成为Inx3Aly3Gaz3N(x3+y3+z3＝1)的第三III族氮化物所构成，所述第三III族氮化物具有比上述第二III族氮化物大的带隙。
8.权利要求7所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，上述第三III族氮化物是AlN。
9.一种半导体元件中的肖特基接合结构，其特征在于，在权利要求1至8中任一项所述的外延基板的势垒层之上形成有金属电极。
10.一种半导体元件中的III族氮化物层与金属电极的肖特基接合结构，其特征在于，上述III族氮化物层是含有III族元素In和Al、组成为InxAlyN(x+y＝1，x＞0，y＞0)的III族氮化物，由短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶构成。
11.一种半导体元件中的III族氮化物层与金属电极的肖特基接合结构的漏电流抑制方法，其特征在于，上述III族氮化物层形成为含有III族元素In和Al、短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。
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