[发明专利]生物芯片及其制备方法有效
申请号: | 201010251182.1 | 申请日: | 2010-08-11 |
公开(公告)号: | CN101962614A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 杜婧;耿照新;杨春;王玮;李志宏 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京大学 |
主分类号: | C12M3/00 | 分类号: | C12M3/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生物芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种生物芯片,其特征在于,包括离心分离器(1)和富集器(2),所述离心分离器(1)的中心处具有进样口(3),所述离心分离器(1)和富集器(2)上分别具有排放口(4),所述离心分离器(1)上具有离心分离器出口(5),所述富集器(2)上具有富集器入口(6),所述离心分离器出口(5)与所述富集器入口(6)相连接;
其中,所述离心分离器(1)包括涡旋式微流体通道(7)和沿所述微流体通道(7)内的流体流动方向布置于所述微流体通道(7)内的若干微立柱(8),所述微立柱(8)将微流体通道(7)分成内流道(71)和外流道(72)。
2.如权利要求1所述的生物芯片,其特征在于,所述富集器(2)包括富集单元(10),所述富集单元(10)的底部具有缝隙或者网格,其大小设计为使得所要富集的细胞不能从缝隙或者网格流过。
3.如权利要求1所述的生物芯片,其特征在于,所述富集单元(10)为方形直壁漏斗状,所述富集单元(10)底部为以一定间隔布置的多个梳齿,每个所述梳齿的长度为50-100μm,各梳齿之间的距离为5-18um。
4.如权利要求3所述的生物芯片,其特征在于,所述富集单元(10)的深度为30-150μm,宽度为50-150μm。
5.如权利要求3或4所述的生物芯片,其特征在于,所述富集单元(10)的深度为30-50μm。
6.如权利要求3所述的生物芯片,其特征在于,所述富集单元(10)的入口处内侧为直壁,入口处外侧为流线形过渡形状。
7.如权利要求1所述的生物芯片,其特征在于,所述微流体通道(7)为半圆对扣形式或阿基米德螺线形式,绕行中心处的圈数至少为5圈,其中心入口(9)所在圈的直径为500-800μm,每圈的宽度为200-400μm。
8.如权利要求1所述的生物芯片,其特征在于,所述微立柱(8)的横截面为圆形,所述圆形的直径为6-30μm。
9.如权利要求1所述的生物芯片,其特征在于,所述微立柱(8)的横截面为正方形,所述正方形的边长为6-30μm。
10.一种权利要求1~9任一项所述生物芯片的制备方法,其特征在于,包括步骤:
(a)处理、清洗硅片;
(b)在硅片正面甩胶、前烘、光刻、显影、后烘;
(c)在硅片正面深刻蚀硅50μm,形成微流体通道、微立柱阵列和富集单元阵列;
(d)将PDMS与其固化剂按10∶1的比例混合,并充分搅拌,用真空泵去除PDMS中的气泡;
(e)处理、清洗培养皿,并在其表面涂上脱模剂;
(f)将无气泡的PDMS均浇在培养皿内,并静置平坦化,然后在60-100℃烘箱中烘烤30-60分钟;
(g)将固化的PDMS切成与具有微流体通道和微富集单元阵列的硅片同样大小,并在相应的微流体通道入口和出口位置打孔;
(h)将PDMS和硅结构键合的表面用氧离子处理;
(i)将PDMS和硅结构按相应的位置进行键合,在微流体通道入口和出口安装金属管。
11.一种权利要求1~9任一项所述生物芯片的制备方法,其特征在于,包括步骤:
(a)处理、清洗硅片;
(b)在硅片正面甩胶、前烘、光刻、显影、后烘;
(c)在硅片正面深刻蚀硅50μm,形成微流体通道、微立柱阵列和富集单元阵列的模具;
(d)将PDMS与其固化剂按10∶1的比例混合,并充分搅拌,用真空泵去除PDMS中的气泡;
(e)处理、清洗所述模具,并在其表面涂上脱模剂;
(f)将无气泡的PDMS均浇在模具上,静置平坦化,然后在60-100℃烘箱中烘烤30-60分钟;
(g)将固化了PDMS从模具上剥离,并切分每个单元;
(h)处理、清洗培养皿,并在其表面涂上脱模剂;
(i)将无气泡的PDMS均浇在培养皿内,静置平坦化,然后在60-100℃烘箱中烘烤30-60分钟;
(j)将固化的PDMS切成与具有微流体通道和微富集单元阵列的硅片同样大小,并在相应的微流体通道入口和出口位置打孔;
(k)将上下两个键合表面用氧离子处理;
(l)将两片PDMS按相应的位置进行键合,在入口和出口安装金属管。
12.一种权利要求1~9任一项所述生物芯片的制备方法,其特征在于,包括步骤:
(a)处理、清洗硅片;
(b)在硅片正面甩胶、前烘、光刻、显影、后烘;
(c)在硅片正面深刻蚀硅50μm,形成微流体通道、微立柱阵列和富集单元阵列;
(d)将硅片正面与玻璃阳极键合,形成硅玻璃片;
(e)采用干法、湿法或CMP的方法将键合后的硅玻璃片背面的硅结层减薄;
(f)硅片背面甩胶、前烘、光刻、显影、后烘;
(g)深刻蚀出进出样口和与富集器对应的通孔;
(h)将PDMS与其固化剂按10∶1的比例混合,并充分搅拌,用真空泵去除PDMS中的气泡;处理、清洗培养皿,并在其表面涂上脱模剂;将无气泡的PDMS均浇在培养皿内,并静置平坦化,然后在60-100℃烘箱中烘烤30-60分钟;
(i)将固化的PDMS切成与具有微流道和微富集器阵列的硅片同样大小,并在相应的微流体通道入口和出口位置打孔;
(j)将PDMS和硅结构键合的表面用氧离子处理。
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