[发明专利]芯片

权利要求书

1.芯片，在所述芯片中，在由半导体材料制成的芯片体(1)的一侧上设置有用于产生钎焊连接的层复合体(2)，其中，所述层复合体(2)由多个彼此相叠跟随的、用物理涂覆法制成的金属层(3、4、5、6)形成，并且其中，在位于所述层复合体(2)表面上的贵金属层(6)与所述芯片体(1)之间设置有能被钎焊的钎焊层(5)，

其特征在于，

所述钎焊层(5)具有至少一个通过中断所述涂覆法而形成的界面(G1、G2)。

2.按照权利要求1所述的芯片，其中，所述层复合体(2)的与所述芯片体(1)接触的基础层(3)基本上由铝形成。

3.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，设置在所述钎焊层(5)与所述基础层(3)之间的第一中间层(4)基本上由Ti或Cr或者由Ti与W组成的合金形成。

4.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，设置在所述贵金属层(6)与所述钎焊层(5)之间的第二中间层基本上由Ti形成。

5.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，所述半导体材料基本上由以下材料之一形成：Si、SiC、SiGe、GaAs。

6.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，形成所述钎焊层(5)的晶体的平均晶体尺寸在至少一个垂直地远离所述界面(G1、G2)指向的方向上首先是增大的。

7.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，形成所述钎焊层(5)的晶体的平均晶体尺寸在从位于与其他金属层的边界上的接触面(K1、K2)朝向所述界面(G1、G2)去的方向上首先是增大的。

8.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，包含在所述钎焊层(5)中的孔隙(P)的频度在所述界面(G1、G2)的区域内具有最大值。

9.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，所述钎焊层(5)基本上由Ni或者Ni/V合金形成。

10.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，所述钎焊层(5)具有至少两个由不同金属制成的层，其中，所述金属从以下组中选择：Ni、Ti、W或者Ni/V合金。

11.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，所述钎焊层(5)的厚度为0.7至1.2μm，优选为0.8至1.0μm。

12.按照前述权利要求之一所述的芯片，其中，所述物理涂覆法是PVD法或者溅射法。

13.芯片基板复合体，其中，按照前述权利要求之一所述的芯片借助与所述钎焊层(5)相连的焊料(7)与基板(8)连接。

14.按照权利要求13所述的芯片基板复合体，其中，所述基板(8)是DCB基板，并且所述焊料(7)与设置于所述DCB基板上的铜层(10)接触。

15.按照权利要求13或者14所述的芯片基板复合体，其中，所述焊料(7)由基本上由Sn和Ag形成的合金制成。