[发明专利]嵌埋有半导体元件的封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构，特别涉及一种具有精确的半导体芯片嵌埋位置的嵌埋有半导体元件的封装结构。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，除传统打线式(Wire bonding)及覆晶(Flipchip)的半导体封装技术外，目前半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装方式，例如直接在一封装基板(package substrate)中嵌埋并电性集成一例如具有集成电路的半导体芯片，此种封装件能缩减整体半导体装置的体积并提升电性功能，遂成为一种封装的趋势。

请参阅图1A至图1C’，为已知的嵌埋有半导体元件的封装结构及其制法的剖视图，其中，图1B’为图1B的另一形式，而图1C’延续自图1B’。

如图1A所示，提供一具有相对的第一表面10a及第二表面10b的基板10，而该基板10具有预定嵌埋半导体芯片的预开口100，且还在该基板10中形成数个贯穿第一表面10a及第二表面10b的导电通孔12。

如图1B所示，通过激光烧灼(laser ablation)以在该基板10的预开口100位置形成贯穿该第一表面10a及第二表面10b的开口100’。

然而，已知嵌埋有半导体元件的封装结构是直接以激光烧灼的设备进行对位以形成该开口100’，而由于激光连续烧灼形成该开口100’，经过烧灼反应后呈凹凸不平的表面，导致激光烧灼的孔形难以精确控制轮廓，故而无法精确形成该开口100’形状，致使与原先的预开口100形状产生偏差，因而使半导体芯片嵌设的位置与原先设计的不同，即供嵌设该半导体芯片的开口100’未完全镂空，如此即容易造成该半导体芯片无法准确设置于该开口100’中。

如图1B’所示，而为解决上述的缺失，而将预定的预开口100增大为另一预开口101，再以激光烧灼于该基板10的增大后的预开口101形成贯穿该第一表面10a及第二表面10b的开口101’。

如图1C’所示，延续自图1B’，将一半导体芯片13对应设在该开口101’中，而该半导体芯片13还具有作用面13a与非作用面13b，该作用面13a外露于该开口100’，且该作用面13a上具有数个电极垫131，并在该开口100’与半导体芯片13之间的间隙、该半导体芯片13上、该第一表面10a及第二表面10b上形成第一介电层14；接着，在该第一表面10a上的第一介电层14上形成第一线路层141，并在该第一介电层14中形成电性连接该第一线路层141、导电通孔12与电极垫131的第一导电盲孔142，还在该第二表面10b上的第一介电层14上形成第二线路层171，并在该第一介电层14中形成电性连接该第二线路层171与导电通孔12的第二导电盲孔172；最后，在该第一表面10a的第一介电层14及第一线路层141上形成第一增层结构15，并在该第二表面10b的第一介电层14及第二线路层171上形成第二增层结构18。

但，已知的嵌埋有半导体元件的封装结构，如图1B’及图1C’所示的将预定的预开口100增大为另一预开口101，以供该半导体芯片13得以容设在该开口101’中，然而，较大的预开口101将导致该半导体芯片13与该开口101’之间的间隙较大，进而造成该第一介电层14不易填满该间隙中，导致该第一介电层14表面产生凹陷，严重者将使后续增层过程中的线路之间产生短路或线路剥离的现象发生，进而导致整体封装结构的可靠度及良率显著下降等问题。

此外，用以固定该半导体芯片13的方法或可填入黏胶材料(图式中未表示)，但该半导体芯片13与该开口101’之间的间隙较大，须填入较多的黏胶材料，且黏胶材料相当昂贵，因而增加填入黏胶的过程，导致制备过程步骤增加及制造成本的浪费。

因此，如何避免已知技术中的嵌埋有半导体元件的封装结构中的开口形状不够精确而需加大开口，导致整体封装结构的可靠度降低等问题，实已成为目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述已知技术的种种缺失，本发明的主要目的在于提供一种具有精确开口形状且具高可靠度的嵌埋有半导体元件的封装结构。

为达上述及其他目的，本发明提供一种嵌埋有半导体元件的封装结构，其包括：

基板，具有相对的第一表面及第二表面，并具有至少一贯穿该第一表面及第二表面的开口；

至少一第一金属框，设在该至少一开口的周缘并位于该第一表面上；

至少一半导体芯片，对应设置于该至少一开口中，该半导体芯片具有相对应的作用面与非作用面，且该作用面具有数个电极垫；