[发明专利]显示装置

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种显示装置，特别涉及一种高穿透率、低闪烁的液晶显示装置。

【背景技术】

闪烁(flicker)现象为主动式液晶显示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AMLCD)的一种视觉缺陷，且业已为相关行业均十分注重的品质问题。现今，亦有许多解决方案提出，希冀能减少液晶显示器产生的闪烁现象。例如：电压调整方案、闪烁补偿电路设计方案、降低栅极R-C负载方案、存储电容补偿方案等等。而在前述许多解决方案当中，液晶显示器制造产业一般又多以存储电容补偿方案作为主要选择。

请参考图1，为依据现有技术制作的像素单元O，其传统结构的简单俯视图。如图1所示，像素单元O具有一栅极线10、一数据线20、作为像素单元O所具有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的元件导通道区域(active channel region)的一多晶硅(p-Si)层30、一存储电容线(storage capacitance line，Cst line)40以及一存储电容(storage capacitance，Cst)50。存储电容50形成于多晶硅层30及存储电容线40之间。像素单元O还具有材料为ITO(Indium Tin Oxide)的一上电极102及具有一导通孔112。前述像素单元O的所有元件均具有如众所周知的功能，并且于像素单元O中均占有相当的区域面积。

请参考图2与图3。图2显示一液晶显示器的闪烁值以及存储电容电压与供给电压间电位差的关系图。图中的Vsc表示液晶显示器的存储电容电压。图中的Vcc则表示液晶显示器的供给电压。如图2所示，分别显示当液晶显示器的像素单元的总电容值与栅极宽度之比(Ctotal/W)分为大、中、小。当采用较大的总电容值与栅极线宽度之比时，液晶显示器的闪烁值即降低从而减少闪烁。图3显示一液晶显示器的闪烁值以及总电容值/栅极宽度比(Ctotal/W)的关系图。从图中可明显地看出，当Ctotal/W值越大，则闪烁值即降低，因而能减少液晶显示器的闪烁。总电容值Ctotal为液晶电容Clc加上存储电容Cst。W为栅极宽度。

于前述存储电容补偿以降低闪烁的解决方案中，液晶显示器即必需具备较大的总电容值Ctotal以及大存储电容Cst面积，方能减少闪烁现象。然而如图1中所示，存储电容线40与栅极线10、数据线20皆以金属材料制作，而非如像素单元O的上电极102为透明材料。存储电容线40并不透明，无法让光穿透。因此，当需增加存储电容面积以降低闪烁现象时，即无可避免地导致液晶显示器整体的穿透率(transmittance)降低。

因此，于现今相关产业而言，确有解决前述问题的必要性。

【发明内容】

根据本发明可提供一种高穿透率、低闪烁的显示装置。

根据本发明的显示装置具有，若干个像素单元，每一像素单元包含一下基板、若干个中间层、一第一保护层、一下电极、一第二保护层、一上电极以及一上基板。若干个中间层形成于下基板上，所述中间层包含一图形化多晶硅层、一数据线以及一栅极线。第一保护层形成于所述中间层上。下电极形成于第一保护层上。第二保护层形成于下电极上，以包覆下电极。上电极形成于第二保护层上，对应下电极的位置，用以形成一存储电容。

并且，上基板设置于显示装置的一上侧。一公共电极形成于上基板的一下表面。液晶层则设置于上电极与公共电极之间。上电极用以作为显示装置的像素电极。下电极耦接于公共电极。特别的是，下电极与上电极均为透明，且能为相同材料所形成，例如：铟锡氧化物(ITO)。因此，现有技术中并非透明的存储电容线在本发明中即能省略，从而实现高穿透率、低闪烁的显示装置。

【附图说明】

图1为现有技术制作的像素单元的传统结构的简单俯视图。

图2为一液晶显示器的闪烁值以及存储电容电压与供给电压间电位差的关系图。

图3为一液晶显示器的闪烁值以及总电容值/栅极宽度比(Ctotal/W)的关系图。

图4为本发明的像素单元的结构的简单俯视图。

图5a为现有技术的像素单元的剖面结构图。

图5b为本发明的像素单元的剖面结构图。

图6(a)为现有技术中的像素单元中存储电容线及上电极所占面积的示意图。

图6(b)为本发明中的像素单元中上、下电极所占面积的示意图。

图7(a)～图7(d)为本发明中的像素单元中上下电极间相对位置关系的四个实施例的示意图。

主要元件符号说明：