[发明专利]确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法和改善残像的方法

权利要求书

1.一种确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法，其特征在于，包括：

建立光电二极管耗尽区的电路模型；

对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数；

将所述仿真RC时间常数作为光电二极管耗尽区的真实RC时间常数。

2.如权利要求1所述的确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法，其特征在于，所述建立光电二极管耗尽区的电路模型包括：

在预定电压下对光电二极管耗尽区进行测试，获得预定电阻值和预定电容值；

将所述耗尽区划分为至少两个子耗尽区；

建立耗尽区的电路模型，所述电路模型包括输入端、输出端、若干RC单元、平衡电容，所述RC单元的数目与子耗尽区的数目相同，所述RC单元包括依次串联的子电容和子电阻，不同RC单元间的电阻依次串联于所述输入端和输出端之间，所有RC单元的电容的一端对应电连接至不同RC单元的电阻的一端，所述RC单元的电容的另一端相互电连接，形成电容公共端，所述平衡电容一端电连接输出端，另一端与所述电容公共端电连接。

3.如权利要求2所述的确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法，其特征在于，所述划分为沿耗尽区的长度方向划分。

4.如权利要求1所述的确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法，其特征在于，对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数包括：

对所述电路模型施加测试电压进行仿真，获得所述电路模型的电阻值和电容值，所述电阻值与电容值的乘积为电路模型的仿真RC时间常数。

5.如权利要求4所述的确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法，其特征在于，所述测试电压的电压值与预定电压的电压值相同。

6.一种改善残像的方法，其特征在于，包括：

建立光电二极管耗尽区的电路模型；

对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数；

将所述仿真RC时间常数作为光电二极管耗尽区的真实RC时间常数；

根据所述光电二极管耗尽区的真实RC时间常数，确定传输晶体管的脉冲时间常数和复位晶体管的脉冲时间常数。

7.如权利要求6所述的改善残像的方法，其特征在于，所述建立光电二极管耗尽区的电路模型包括：

在预定电压下对光电二极管耗尽区进行测试，获得预定电阻值和预定电容值；

将所述耗尽区划分为至少两个子耗尽区；

建立耗尽区的电路模型，所述电路模型包括输入端、输出端、若干RC单元、平衡电容，所述RC单元的数目与子耗尽区的数目相同，所述RC单元包括依次串联的子电容和子电阻，所述子电阻串联于所述输入端和输出端之间，所述平衡电容一端电连接输出端，另一端与所述不同RC单元的子电容的一端电连接。

8.如权利要求7所述的改善残像的方法，其特征在于，所述划分为沿耗尽区的长度方向划分。

9.如权利要求8所述的改善残像的方法，其特征在于，对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数包括：

对所述电路模型施加测试电压进行仿真，获得所述电路模型的电阻值和电容值，所述电阻值与电容值的乘积为电路模型的仿真RC时间常数。

10.如权利要求6所述的改善残像的方法，其特征在于，所述测试电压的电压值与预定电压的电压值相同。