[发明专利]一种电极材料及其用途

权利要求书

1.一种电极材料，其特征在于，该电极材料为金属钒薄膜，它作为与氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜接触的引出电极。

2.一种采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构，包括衬底，其特征在于，在所述衬底上依次沉积金属钒薄膜、氧化钒薄膜或掺杂氧化钒薄膜、钝化层薄膜。

3.根据权利要求2所述的采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①在衬底上制备金属钒薄膜；

②对步骤①制备的金属钒薄膜形成图形化钒电极；

③对图形化钒电极进行原位真空预处理；

④在预处理后的图形钒电极结构上制备氧化钒薄膜或掺杂氧化钒薄膜；

⑤在氧化钒或掺杂氧化钒薄膜上制备SiON钝化层薄膜；

⑥对步骤⑤形成的氧化钒/钝化层或掺杂氧化钒/钝化层进行图形化，得到电极/氧化钒或掺杂氧化钒敏感薄膜/钝化层的复合结构。

4.根据权利要求3所述的采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构的制备方法，其特征在于，步骤①中金属钒薄膜的制备方法包括直流溅射法、RF溅射法、真空蒸发法或离子束沉积法；步骤②中金属钒薄膜图形化方法包括剥离法、干法刻蚀法或湿法腐蚀方法；

5.根据权利要求3所述的采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构的制备方法，其特征在于，步骤③中原位真空预处理工艺为：在本底真空优于1.0×10^-2Pa的真空室内，采用加速电压为100V～500V的Ar离子束流轰击图形化之后的钒电极，轰击时间30秒～500秒，轰击后将样品在真空环境下转入氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜制备工艺真空室。

6.一种采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构，包括衬底，其特征在于，在所述衬底上依次沉积氧化钒薄膜或掺杂氧化钒薄膜、金属钒薄膜、钝化层薄膜。

7.根据权利要求6所述的采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①在衬底上制备氧化钒或掺杂氧化钒薄膜；

②在步骤①制备的氧化钒或掺杂氧化钒薄膜制备SiON钝化层薄膜；

③在钝化层薄膜上开出电极接触孔；

④对接触孔部位氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜进行原位真空预处理；

⑤在预处理后的结构上制备金属钒薄膜；

⑥在金属钒薄膜上制备SiN薄膜钝化层；

⑦对步骤⑥后形成的复合薄膜进行图形化，形成的氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜/电极/钝化层的复合结构。

8.根据权利要求7所述的采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构的制备方法，其特征在于，步骤⑤中金属钒薄膜的制备方法包括直流溅射法、RF溅射法、真空蒸发法或离子束沉积法；步骤⑥中钝化层为CVD工艺形成的SiN薄膜；步骤⑦中金属钒薄膜图形化方法包括剥离法、干法刻蚀法或湿法腐蚀方法。

9.根据权利要求7所述的采用金属钒薄膜作为引出电极的复合结构的制备方法，其特征在于，步骤④对氧化钒或者掺杂氧化钒进行原位真空预处理工艺为：本底真空优于1.0×10^-2Pa的真空室内，采用加速电压为100V～400V的Ar离子束流轰击开出接触孔的氧化钒或者掺杂氧化钒，轰击时间30秒～300秒，轰击后将样品在真空环境下转入金属钒薄膜制备工艺真空室。