[发明专利]发光装置及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201010249198.9 申请日: 2010-08-06
公开(公告)号: CN102194945A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 黄信杰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/24;H01S5/24
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;高雪琴
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

一不平整基板,包括自该不平整基板的一顶面延伸进入该不平整基板内的一第一沟槽,其中该沟槽包括一第一侧壁与一底部;以及

一发光单元,位于该不平整基板上且包括一有源层及具相反导电特性的一第一覆盖层与一第二覆盖层,其中该有源层包括平行于该第一侧壁的一第一部以及平行于该沟槽的该底部的一第二部,而该第一覆盖层与该第二覆盖层位于该有源层的相对侧。

2.如权利要求1所述的装置,其中该有源层的该第一部与该第二部位于第一沟槽之内,且其中该有源层还包括位于该不平整基板的该顶面上的一第三部。

3.如权利要求1所述的装置,还包括一第二沟槽,自该表面延伸进入该不平整基板内,其中该第二沟槽包括不同于该第一侧壁的一第一倾斜角的一第二倾斜角的一第二侧壁,且其中该有源层包括平行于该第二侧壁的一第三部。

4.如权利要求3所述的装置,其中该第一倾斜角与该第二倾斜角之间具有大于2度的差异。

5.如权利要求1所述的装置,其中该第一侧壁具有相较于水平面为少于45度的一倾斜角。

6.一种装置,包括:

一不平整基板,包括自该不平整基板的一顶面延伸进入该不平整基板内的一沟槽,其中该沟槽包括一第一侧壁与一底部;以及

一发光单元,包括:

一第一覆盖层,具有一第一导电特性且位于该不平整基板的该顶面之上;

一有源层,位于该第一覆盖层之上;以及

一第二覆盖层,具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性且位于该有源层之上,

其中该第一覆盖层、该有源层与该第二覆盖层具有一非平坦顶面。

7.如权利要求6所述的装置,其中该有源层包括位于该不平整基板的该顶面上的一第一部,以及延伸进入该沟槽内的一第二部。

8.如权利要求7所述的装置,还包括一金属电极位于该第二覆盖层之上并电性连结之,其中该金属电极包括平行于该有源层的该非平坦表面的该第二部的一倾斜部。

9.如权利要求7所述的装置,其中该有源层的该非平坦表面的该第二部包括平行于该沟槽的该侧壁的一侧壁部,以及平行于该沟槽的该底部的一底部。

10.如权利要求6所述的装置,还包括多个分隔的沟槽,自该不平整基板的该顶面延伸进入该不平整基板内,而所述多个分隔的沟槽具有不同的倾斜角,且所述多个不同的倾斜角之间具有大于约5度的差异。

11.如权利要求10所述的装置,其中所述多个分隔的沟槽相互分开,且从该不平整基板的俯视观之为一长方形。

12.一种装置的形成方法,包括:

提供一基板;

形成沿着该基板的一底面延伸进入该基板的一第一沟槽,其中该第一沟槽包括一第一侧壁与一底部;以及

形成包括位于该基板上的具有一第一导电特性的一第一覆盖层、位于该第一覆盖层上的一有源层以及位于该有源层上具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二覆盖层的一发光单元,其中该有源层包括平行于该第一沟槽的该第一侧壁的一第一部以及平行于该第一沟槽的该底部的一第二部,且该第一覆盖层、该有源层与该第二覆盖层分别为一非平坦膜层。

13.如权利要求12所述的装置的形成方法,其中形成该第一沟槽的步骤包括蚀刻该基板或施行一激光微加工程序。

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