[发明专利]发光元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010249194.0 申请日: 2010-08-06
公开(公告)号: CN102376863A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 陈柏源;翁弘昌;刘如熹;纪喨胜 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光元件的制造方法,包含:

提供基板;

形成半导体叠层于该基板上方,该半导体叠层包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及位于该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层之间的活性层;

形成预覆层于该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层中至少之一的上方;以及

将该预覆层的至少一部分置入电镀浴中,该电镀浴中包含有金属离子,该金属离子在无外加电压下会还原沉积于该预覆层之上并形成金属层,其中该电镀浴包含稳定剂,其材料为铜铁灵、MBT或MBI。

2.如权利要求1所述的方法,还包含形成绝缘层于未被该预覆层覆盖的区域。

3.如权利要求1所述的方法,其中该稳定剂的浓度为1~30ppm。

4.如权利要求1所述的方法,其中该电镀浴还包含未含氰的可溶性金属盐、还原剂、错合剂、缓冲剂、改良剂及酸碱值调整剂。

5.如权利要求4所述的方法,其中该改良剂的材料可为0.71~1.11M的硫代硫酸钠。

6.如权利要求4所述的方法,其中该电镀浴中的金属盐为亚硫酸金盐或氯化金酸盐。

7.如权利要求4所述的方法,其中该电镀浴中的还原剂的材料为抗坏血酸。

8.如权利要求4所述的方法,其中该电镀浴中的错合剂的材料为乙二胺四乙酸二钠盐、亚硫酸盐、硫代硫酸盐、羟基胺及其盐类或其衍生物、二甲胺硼氢化物等胺基硼氢化合物、氢氧化硼钠等硼化氢化合物、葡萄糖等糖类、次亚磷酸盐类等。

9.如权利要求4所述的方法,其中该电镀浴中的缓冲剂的材料为磷酸盐、四硼酸盐、或硼酸盐。

10.如权利要求1所述的方法,其中该预覆层的材料为镍、钯、白金、银、钴及这些的合金。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010249194.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top