[发明专利]相变非易失性存储器及其加工方法

权利要求书

1.一种相变非易失性存储器的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

成型出N型硅衬底，在该N型硅衬底上方成型出氧化硅层，在该氧化硅层中刻蚀出氧化硅凹槽，所述氧化硅凹槽垂直贯穿所述氧化硅层；

在所述氧化硅凹槽中的N型硅衬底上外延生长出本征沉积硅层；

在所述本征沉积硅层上外延生长出p型沉积硅层；

在所述p型沉积硅层上外延生长出锗化硅层；

在所述锗化硅层上外延生长出另外一层本征沉积硅层；

将外延生长出的所述本征沉积硅层刻蚀去除，使所述锗化硅层处于所述氧化硅凹槽中的最上一层；

在所述锗化硅层上沉积出相变材料层。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述沉积相变材料层时采用的相变材料为GST。

3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，进行所述外延生长时采用的方法为气相外延方法。

4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，外延生长所述本征沉积硅层所采用的方法为：向本征沉积硅层外延生长环境中添加SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、SiH₂Cl₂、SiHCl₃或者SiCl₄中的一种气体以及氢气H₂。

5.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，在本征沉积硅层上外延生长出p型沉积硅层所采用的方法为：在外延生长沉积硅的同时向沉积硅外延生长环境中添加氢化硼B₂H₆气体。

6.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，在p型沉积硅层上外延生长出锗化硅层所采用的方法为：在外延生长沉积硅的同时向沉积硅外延生长环境中添加氢化锗GeH₄气体。

7.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，将所述外延生长出的本征沉积硅层刻蚀去除时，采用湿法腐蚀的方法。

8.根据权利要求7所述的加工方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的方法具体为：利用15-25wt％氢氧化钾的去离子水溶液，在70-85摄氏度条件下进行腐蚀。

9.一种应用权利要求1所述的加工方法得到的相变非易失性存储器，其特征在于，包括：

N型硅衬底；

氧化硅凹槽，所述氧化硅凹槽设置于所述N型硅衬底上方；以及

在所述氧化硅凹槽中，由下至上设置有：

本征沉积硅层；

p型沉积硅层；

锗化硅层；

相变材料层。

10.根据权利要求9所述的相变非易失性存储器，其特征在于，所述相变材料层中的相变材料为GST。

11.根据权利要求9或10所述的相变非易失性存储器，其特征在于，所述锗化硅层中锗的含有比例为0.2-0.3。