[发明专利]一种换能器薄膜的制作方法无效
| 申请号： | 201010247775.0 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102378100A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;刘明;谢常青;叶甜春;阎学锋;霍宗亮;龙世兵;张满红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 换能器 薄膜 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种换能器薄膜的制作方法，其特征在于，该方法采用磁控共溅射或激光溅射方式将铝钛铬合金材料一次成膜，形成金属换能器。
2.根据权利要求1所述的换能器薄膜的制作方法，其特征在于，所述铝钛铬合金材料组成为金属钛为3％至10％，金属铬为1％至2％，其余为金属铝。
3.根据权利要求1所述的换能器薄膜的制作方法，其特征在于，所述一次成膜时，膜厚范围在30nm至S000nm之间。
4.根据权利要求1所述的换能器薄膜的制作方法，其特征在于，所述金属换能器为声表面波谐振器或延迟线。
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