[发明专利]电熔丝电路及其操作方法

权利要求书

1.一种熔丝电路，包括：

电熔丝，所述电熔丝耦合至第一电压源；

低电阻提供单元，所述低电阻提供单元耦合至所述电熔丝并具有能够被击穿的结；以及

开关单元，所述开关单元耦合在所述低电阻提供单元与第二电压源之间。

2.如权利要求1所述的熔丝电路，其中，所述低电阻提供单元包括NMOS晶体管，在所述NMOS晶体管中，在漏区与体区之间发生击穿。

3.如权利要求2所述的熔丝电路，其中，所述开关单元包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管在熔丝断裂信号被使能时将所述低电阻提供单元的体区的电压传送至所述第二电压源。

4.如权利要求1所述的熔丝电路，其中，在输出节点与所述电熔丝和所述低电阻提供单元的耦合节点之间，设置有被配置为锁存所述耦合节点的电压的锁存单元和被配置为缓冲所述锁存单元的输出信号的放大单元。

5.一种熔丝电路，包括：

具有能够被击穿的结的晶体管，所述能够被击穿的结作为使熔丝电断裂的电流的路径。

6.如权利要求5所述的熔丝电路，其中，所述熔丝耦合在所述具有能够被击穿的结的晶体管的漏区与第一电压源之间。

7.如权利要求6所述的熔丝电路，还包括：

开关单元，所述开关单元被配置为被施加有来自所述具有能够被击穿的结的晶体管的电流，并将所施加的电流放电至第二电压源。

8.如权利要求7所述的熔丝电路，其中，所述第一电压源具有泵浦电压的电平。

9.如权利要求7所述的熔丝电路，其中，所述第二电压源具有衬底偏压的电平。

10.一种操作熔丝电路的方法，所述熔丝电路包括：熔丝，所述熔丝与第一电压源耦合；低电阻提供单元，所述低电阻提供单元与所述熔丝耦合，并由MOS晶体管构成；以及开关单元，所述开关单元与所述低电阻提供单元耦合，并被配置为响应于熔丝断裂信号而将从所述低电阻提供单元提供的电流放电至第二电压源，所述方法包括以下步骤：

击穿所述低电阻提供单元的结；

选择性地使所述熔丝断裂；以及

检测所述熔丝是否断裂。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述击穿所述低电阻提供单元的步骤包括以下步骤：

在所述熔丝断裂信号被使能的情况下，增大所述第一电压源与所述第二电压源之间的电位差，使所述电位差大于所述MOS晶体管的击穿电压的电平。

12.如权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：

在所述熔丝断裂信号被使能的情况下，增大所述第一电压源与所述第二电压源之间的电位差，使所述电位差处于能够使所述熔丝断裂的范围内。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述检测所述熔丝是否断裂的步骤根据所述熔丝和所述低电阻提供单元的耦合节点的电压电平来确定所述熔丝是否断裂。

14.一种操作熔丝电路的方法，包括以下步骤：

利用漏区和体区能够被击穿的MOS晶体管来传导用于使熔丝断裂的电流。

15.一种包括熔丝电路的半导体装置，所述熔丝电路包括：

电熔丝，所述电熔丝连接至第一电压源；

低电阻提供单元，所述低电阻提供单元连接至所述电熔丝，并具有能够被击穿的结；以及

开关单元，所述开关单元连接在所述低电阻提供单元与第二电压源之间。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中，所述低电阻提供单元包括NMOS晶体管，在所述NMOS晶体管中，在漏区与体区之间能够发生击穿。

17.如权利要求16所述的半导体装置，其中，所述开关单元包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管在熔丝断裂信号被使能时将所述低电阻提供单元的体区的电压传送至所述第二电压源。

18.如权利要求15所述的半导体装置，其中，在输出节点与所述电熔丝和所述低电阻提供单元的耦合节点之间，设置有被配置为锁存所述耦合节点的电压的锁存单元和被配置为缓冲所述锁存单元的输出信号的放大单元。