[发明专利]一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：利用设计好的丝网印刷网版，在晶体硅太阳电池的局部区域印刷浆料，经烧结后在晶体硅片局部区域形成p-n结方向与主体太阳电池p-n结方向相反的旁路二极管，再利用激光刻槽工艺将所述的旁路二极管与主体太阳电池隔离开，制得具有旁路二极管的晶体硅太阳电池。

2.根据权利要求1所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于含下述步骤：

(1)按照常规晶体硅太阳电池制造工艺，制备出扩散后且单面镀有减反射膜的晶体硅片；

(2)在晶体硅片未镀有减反射膜的一面印刷太阳电池背面电极、太阳电池背面电场并预留局部区域，在上述预留局部区域内根据设计好的旁路二极管印刷网版图案丝网印刷旁路二极管背面电极；在晶体硅片镀有减反射膜的一面印刷太阳电池正面电极并预留局部区域，在上述预留局部区域内根据设计好的旁路二极管印刷网版图案丝网印刷旁路二极管正面电极、旁路二极管正面电场，各印刷工序不分先后次序，每次印刷后各自烘干即可；

(3)将步骤(2)的晶体硅片烧结后在晶体硅片局部区域形成p-n结方向与主体太阳电池p-n结方向相反的旁路二极管，再利用激光刻槽工艺将旁路二极管与主体太阳电池隔离后即制得具有旁路二极管的晶体硅太阳电池。

3.根据权利要求2所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的晶体硅片为单晶硅片、多晶硅片、p型硅片或n型硅片。

4.根据权利要求2所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的旁路二极管印刷网版图案为多边形。

5.根据权利要求4所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的多边形为矩形或三角形。

6.根据权利要求2所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的局部区域位于晶体硅太阳电池边缘区域或晶体硅太阳电池中心区域。

7.根据权利要求2所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中旁路二极管电极与主体太阳电池电极之间还设有用于激光刻槽的空白预留区域。

8.根据权利要求2所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中丝网印刷采用的浆料为银铝浆、银浆或铝浆，且在硅片的同一面上印刷旁路二极管的浆料与主体太阳电池的浆料极性相反，经烧结后形成的旁路二极管p-n结方向与主体太阳电池p-n结方向相反。

9.根据权利要求2所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(3)中采用的激光刻槽的参数为：功率1-1000W、波长1100-200nm的脉冲或连续激光光束。

10.根据权利要求2所述的具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(3)中通过互连条将各个晶体硅太阳电池连接成组件，并用互连条将旁路二极管与相邻的另一硅片上的主体太阳电池并联从而保护相邻的另一片晶体硅太阳电池。