[发明专利]晶片加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片加工方法，在晶片的内部沿着第1间隔道(street)和第2间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠由氮化物半导体构成的发光层，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道以及与该多个第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所划分的多个区域中形成有光器件。

背景技术

在光器件的制造工艺中，在蓝宝石基板的表面层叠由氮化物半导体构成的发光层(外延层)，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道以及与该多个第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所划分的多个区域中形成有光器件。通过沿着第1间隔道和第2间隔道进行切断，该形成有多个光器件的晶片被分割成各个发光二极管等光器件，在电气设备中被广泛利用。

这种沿着晶片的间隔道进行的切断通常是利用使环状的切削刀片高速旋转并切削的切削装置来进行。但是，蓝宝石基板是莫氏硬度较高的难切削材料，所以需要降低加工速度，存在生产性较差的问题。

近年来，作为沿着间隔道切割晶片的方法提出了以下方法：沿着间隔道照射对于晶片而言具有吸收性的脉冲激光，由此形成激光加工槽，通过沿着该激光加工槽施加外力来进行割断。(例如，参照专利文献1)

然而，在沿着形成于蓝宝石基板的表面的间隔道照射激光而形成激光加工槽时，发光二极管等光器件的外周被烧蚀，亮度降低，存在光器件的质量下降的问题。

为了解决这种问题，下述专利文献2公开了一种蓝宝石基板的加工方法，从没有形成由氮化物半导体构成的发光层(外延层)的蓝宝石基板的背面侧，沿着间隔道照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，并使会聚点位于内部，在蓝宝石基板的内部沿着间隔道形成变质层，由此沿着形成有变质层的间隔道来分割蓝宝石基板。

【专利文献1】日本特开平10-305420号公报

【专利文献2】日本特开2008-6492号公报

在上述专利文献2公开的蓝宝石基板的加工方法中，虽然光器件的亮度降低得到了一定程度的改善，但是在间隔道的交叉点处先前形成的变质层被激光照射时，激光的会聚状态变差，泄漏到由氮化物半导体构成的发光层中的激光量增加，由氮化物半导体构成的发光层受到损伤，有可能使光器件的发光功能变差。

发明内容

本发明就是鉴于上述情况而提出的，其主要技术课题是提供一种晶片加工方法，能够在蓝宝石基板内部沿着间隔道形成变质层，而不会对形成于蓝宝石基板表面的光器件造成损伤。

为了解决上述的主要技术课题，根据本发明提供一种晶片加工方法，在晶片的内部沿着第1间隔道和第2间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠有发光层，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道和与该多个第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所划分的多个区域中形成有光器件，所述晶片加工方法的特征在于，包括：第1变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第1间隔道照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部沿着第1间隔道形成连续的第1变质层；和第2变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，形成第2变质层。

根据本发明的晶片加工方法，在沿着第2间隔道在蓝宝石基板的内部形成第2变质层的第2变质层形成步骤中，从蓝宝石基板的背面侧，按照与已经沿着第1间隔道连续形成的第1变质层的交叉部除外的方式照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第2间隔道(但与第1间隔道的交叉部除外)形成第2变质层，所以不存在激光与第1变质层发生干涉而导致会聚状态恶化的情况。因此，能够解决下述问题，即，由于激光与第1变质层发生干涉而导致会聚状态恶化，泄漏到发光层的激光量增加而对发光层造成损伤，致使光器件的发光功能下降。

附图说明

图1是利用本发明的晶片加工方法加工的晶片的立体图以及放大示出要部的剖视图。

图2是示出在将图1所示的晶片贴附于安装在环状框架上的保护带的表面上的状态的立体图。

图3是用于实施本发明的晶片加工方法的第1变质层形成步骤和第2变质层形成步骤的激光加工装置的要部立体图。

图4是本发明的晶片加工方法的第1变质层形成步骤的说明图。

图5是本发明的晶片加工方法的第2变质层形成步骤的说明图。

图6是本发明的晶片加工方法的第2变质层形成步骤的说明图。

标号说明