[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、配料：称取氮化铝陶瓷基板的原料，并混合均匀，所述原料包含氮化铝粉体、烧结助剂、以及有机互溶剂；

步骤2、混炼：将混合均匀的原料加入已经预热的混炼机中进行一次或多次混炼，制得混炼料；

步骤3、热压成型：将所述混炼料经造粒得到粒料，然后放入模具中通过热压成型的方法成型生坯；

步骤4、将热压成型的生坯进行排胶，去除生坯中的有机互溶剂，再将排胶后的坯件进行烧结。

2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述混炼的条件：混炼机的预热温度为150℃±30℃，每次混炼的时间为30-90min。

3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述热压成型是将粒料放入模具中，在150℃±30℃的温度，20±5Mpa的压力下进行热压。

4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，

所述造粒是将混炼料在破碎机中进行破碎造粒；

所述排胶的条件：将热压成型的生坯置于排胶炉中，在空气气氛下，以1-3℃/min的升温速度升温至550℃±20℃，然后在550℃±20℃的温度下保温1-3h；

所述烧结的条件：将排胶后的坯件置于真空高温炉中，在惰性气氛的保护下，于1750℃-1850℃进行烧结，烧结时间为3-5h。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，以所述原料的总重量计，氮化铝粉体的含量为50wt％-70wt％，烧结助剂的含量为3wt％-5wt％，有机互溶剂的含量为25wt％-45wt％。

6.根据权利要求5中所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述氮化铝粉体的纯度在99％以上，平均粒径为1-2μm；所述烧结助剂选自氧化钇、氧化钙、氟化钙中的一种或几种。

7.根据权利要求5所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述有机互溶剂中含有聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物以及润滑剂，以所述有机互溶剂的总重量计，聚乙烯的含量为20-50wt％，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的含量为40-78wt％，润滑剂的含量为1-10wt％。

8.根据权利要求7所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述有机互溶剂还含有聚丙烯、石蜡、增塑剂、热塑性弹性体中的一种或几种，以所述有机互溶剂的总重量计，聚丙烯的添加量为0-10wt％，石蜡的添加量为0-30wt％，增塑剂的添加量为0-10wt％，热塑性弹性体的添加量为0-10wt％。

9.根据权利要求8所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述润滑剂为硬脂酸，所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯。

10.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，采用如权利要求1-9任意一项的方法制得，包含氮化铝和烧结助剂。

11.根据权利要求10所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述烧结助剂为氧化钇、氧化钙、氟化钙中的一种或多种；所述氮化铝和烧结助剂的重量比为：(50-70)∶(3-5)。