[发明专利]含硒杂环化合物的聚合物及其在制备发光材料中的应用

说明书

技术领域

本发明涉及聚合物，更详细地是含硒杂环化合物的聚合物。本发明还涉及该聚合物在制备发光材料中的应用。本申请是200810210612.8的分案申请。

背景技术

自1977年日本科学家白川英树发现聚乙炔导电以来，这种被称为“第四代高分子”材料的导电聚合物以其突出的光电性能吸引了众多科学家进行研究。导电高分子同具有相同或相近用途的无机材料相比，具有密度低，易加工，合成选择范围广等优点。由于这类材料结构的共轭特性，使它能传输电荷，受激发光，从而能够或潜在可能在许多电子或光电子器件上得到应用，例如包括高分子发光二极管，光伏打电池，场效应管等。潜在的应用前景和广泛的应用领域促使科学家竞相研究这类具有光电活性的共轭材料，包括聚乙炔，聚吡咯，聚噻吩，聚苯胺，聚芴等。当电子从成键轨道跃迁至反键轨道时(π-π^*跃迁)，带有芳环或杂环结构的高分子通常吸收波长300-500纳米的光，当从反键轨道跃迁至成键轨道时，释放出能量，通常发出可见区内相应波长的光子，这就是发光高分子材料。

发光高分子材料由于突出的优点，掀起了电子显示技术的一场革命。在过去的十年里，开发了数量众多的发光聚合物。要制作可商品化的发光器件，材料的发光色坐标，发光量子效率，工作电压(功耗)，器件的长期使用稳定性都必须优化选择。研究人员一直在努力寻求改善和提高高分子发光二极管性能的方法，材料是最重要的因素之一。所以许多研究小组一直致力于开发具有高量子效率，色纯度好，长期稳定性好的导发光聚合物。

发明内容

本发明的目的在于提供一种含硒杂环化合物的聚合物，该聚合物具有高量子效率，色纯度好，长期稳定性好，适用于高分辨率、全色平面显示。

本发明还涉及含硒杂环化合物的聚合物在制备发光材料中的应用；含硒杂环化合物的聚合物在制备光伏材料中的应用。含硒杂环化合物的聚合物在制备发光二极管、平板显示器中的发光层中的应用。含硒杂环化合物的聚合物在制备太阳光伏电池的活性层中的应用。

本发明的含硒杂环化合物的聚合物单体包括含元素硒的杂环化合物。

所述含元素硒的杂环化合物具有如下一种或一种以上结构单元：

其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基，烷氧基；

其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基，烷氧基；

其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基；

其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基，X为S，Se，N-Me；

X为S，Se，N-Me；

X为S，Se，N-Me；

X为S，Se，N-Me；

其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基；

其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基；

其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基，X为S，Se，N-Me；

X为S，Se；

X为S，Se，N-Me；

X为S，Se；

含元素硒的杂环化合物在聚合物中占0.1-100％摩尔。

含硒杂环化合物的聚合物还包括另一组分聚芴、聚对苯、聚对苯乙炔、聚SPIRO-对苯、梯形聚对苯(ladder-PPP)共轭聚合物一种或一种以上，其中含元素硒的杂环化合物在聚合物中占0.1-99％.摩尔，另一组分的分子结构如下：

聚芴：其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基；

聚对苯：其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷基，烷氧基；

聚对苯乙炔：其中R₁，R₂为H，C₁-C₂₀的烷氧基；