[发明专利]一种两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器有效
| 申请号: | 201010244615.0 | 申请日: | 2010-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN102347738A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
| 发明(设计)人: | 陈铖颖;胡晓宇;周玉梅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/26 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王建国 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 两级 全差分低 噪声 失调 运算放大器 | ||
1.一种两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器,其特征在于:包括三个斩波器S1,S2,S3和两级折叠共源共栅运算放大器;所述斩波器S1,位于两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器的输入端,将输入信号调制至斩波频率上;所述两级折叠共源共栅运算放大器,第一级实现大的增益,第二级实现大的输出摆幅,对所述斩波器S1调制后的信号进行放大;所述斩波器S2,位于运算放大电流通路的低阻节点上,将信号解调回基带,运放的失调信号和1/f噪声经过斩波器S2的一次调制,出现在斩波频率的奇次谐波上;所述斩波器S3,用于动态切换两级折叠共源共栅运算放大器中电流源的差分对管,进一步降低电流源的电流失配和两级折叠共源共栅运算放大器的失调电压。
2.如权利要求1所述的两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器,其特征在于:所述斩波器S1、S2、S3分别由两向非交叠时钟控制的四个NMOS管M1,M1b,M2,M2b构成,横向NMOS管M1,M2和纵向NMOS管M1b,M2b交替导通,将时钟信号即斩波信号与输入信号相乘,将输入信号调制到斩波信号。
3.如权利要求1所述的两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器,其特征在于:所述两级折叠共源共栅运算放大器,其中输入级PMOS管M0为电流源,PMOS管M1,M2为输入管,第一级运放结构包括PMOS管M3,M4,M5,M6以及NMOS管M7,M8,M9,M10,第二级运放结构采用二极管连接的PMOS管M11,M12作为负载,PMOS管M13,M14作为第二级的输入管。
4.如权利要求3所述的两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器,其特征在于:所述两级折叠共源共栅运算放大器还包括由电容C1,C2和电阻R1,R2组成的密勒补偿电路。
5.如权利要求2所述的两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器,其特征在于:所述斩波器S2位于所述两级折叠共源共栅运算放大器中NMOS管M7,M8的低阻源端。
6.如权利要求2所述的两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器,其特征在于:所述斩波器S3位于所述两级折叠共源共栅运算放大器中PMOS管M3,M4的漏端。
7.如权利要求1所述的两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器,其特征在于:所述两级全差分低噪声低失调斩波运算放大器的输出端分别设有电容C3,C4。
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