[发明专利]GaN基LED外延片、芯片及器件无效
| 申请号： | 201010244358.0 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101931037A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李抒智;周颖圆;杨卫桥;马可军 | 申请（专利权）人： | 上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203 上海市张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 外延 芯片 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基LED外延片，由下至上包括衬底、N型区、有源层和P型区，其特征在于：
所述衬底为非极性衬底；
所述有源层包括多个量子阱组，所述量子阱组包括量子阱，所述量子阱包括势垒层和势阱层，所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。
2.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，在沿所述N型区至所述P型区的方向上，所述多个量子阱组的势阱层中铟组分含量逐渐递变。
3.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述势阱层厚度为1.0nm～6.0nm。
4.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述势垒层厚度为8nm～12nm。
5.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子阱组所包括量子阱的周期数为3-10。
6.如权利要求1至5所述的外延片，其特征在于，所述N型区包括N型AlxGayN包层和N型GaN层，所述P型区包括p型GaN层和p型AlxGayN包层，所述有源层设置于所述N型GaN包层与所述p型AlxGayN包层之间。
7.如权利要求6所述的外延片，所述非极性衬底具体为铝酸锂晶体衬底，所述GaN层为非极性面。
8.一种使用权利要求1-7中任一项所述的外延片制备出的GaN基LED芯片。
9.一种使用权利要求1-7中任一项所述的外延片制备出的GaN基LED器件。
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