[发明专利]一种用于半导体气相光电性能高通量测试的芯片及装置

权利要求书

1.一种用于半导体气相光电性能的高通量测试的芯片，其特征在于，芯片(1)的底层为氧化铝陶瓷基片(1-1)，电极阵列(1-2)通过丝网印刷的方法印制在氧化铝陶瓷基片(1-1)的表面，电极引脚(1-3)通过丝网印刷的方法印制在氧化铝陶瓷基片(1-1)的两侧，在电极阵列(1-2)的每个电极上通过喷墨打印或者丝网印刷的方法印制有各种待测试的半导体光电材料(1-4)。

2.一种利用权利要求1所述芯片构成的高通量测试装置，它包括封闭测试腔体和LED光源(5)，封闭测试腔体由盖板(2)，中框(3)和底板(4)构成，盖板(2)的中间开有一个窗口，窗口用石英玻璃(6)密封，LED光源(5)位于石英玻璃(6)上方；

中框(3)的相对的两个侧壁(A、B)上开有进气口(7)和出气口(8)，另外两个侧壁(C、D)的内侧均安置有传感器(9)；所述另外两侧壁(C、D)内开有凹槽，凹槽内各安置有一块转接电路板(10)，转接电路板(10)的内侧有簧片(11)，转接电路板(10)外侧有数据接口(12)，转接电路板(10)用于将簧片(11)上的信号引至数据接口(12)；

底板(4)上设有凸台，该凸台位于石英玻璃(6)下方，凸台用于放置芯片(1)，簧片(11)与芯片电极引脚(1-3)为压合式接触。