[发明专利]像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法。

背景技术

有机发光元件是一种自发光性的元件。一般来说，有源式有机发光元件包括多个像素结构，像素结构包括薄膜晶体管、与薄膜晶体管电性连接的阳极、发光层以及阴极。薄膜晶体管包括栅极、源极与漏极以及沟道层。

上述的薄膜晶体管所使用的沟道层材质大多为非晶硅(amorphous silicon，a-Si)。一般来说，为了减少沟道层与源极、或沟道层与漏极间的接触电阻，通常会在沟道层上形成欧姆接触层。然而，由于非晶硅薄膜晶体管的载流子迁移率(carrier mobility)较低且信赖性(reliability)不佳。因此，目前已经有发展出一种金属氧化物半导体薄膜晶体管(metal oxide semiconductor thin filmtransistor)。

一般金属氧化物半导体薄膜晶体管的源极与漏极的材质是使用铝或者是钼。然而，用来蚀刻铝或者是钼的蚀刻液(又可称为铝酸)对于金属氧化物半导体薄膜晶体管的金属氧化物半导体沟道层的蚀刻选择比不高。因而使得金属氧化物半导体薄膜晶体管的源极与漏极的蚀刻程序非常难以控制。

此外，一般有机发光元件的制造程序是先形成薄膜晶体管。之后，形成第一有机层以覆盖薄膜晶体管，再形成第二有机层以作为有机发光元件的发光层的阻隔壁。由于此种方法需两道有机层的制作程序，因而制造成本较高。

发明内容

本发明提供一种像素结构的制造方法，其可以解决传统金属氧化物半导体薄膜晶体管的源极与漏极的蚀刻程序非常难以控制的问题。

本发明提供一种有机发光元件的制造方法，其可以解决传统金属氧化物半导体薄膜晶体管的源极与漏极的蚀刻程序非常难以控制的问题，而且可以节省制造成本。

本发明提出一种像素结构的制造方法。此方法包括在基板上形成栅极。形成介电层以覆盖栅极与基板。在栅极上方的介电层上形成图案化金属氧化物半导体层与图案化金属蚀刻阻挡层。形成第一导电层以覆盖图案化金属蚀刻阻挡层以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第一导电层，而形成源极以及漏极。形成第二导电层以覆盖源极、漏极以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第二导电层，而形成第一电极层。之后，移除位于源极与漏极之间被暴露出来的图案化金属蚀刻阻挡层。

本发明提出一种有机发光元件的制造方法。此方法包括在基板上形成栅极。形成介电层以覆盖栅极与基板。在栅极上方的介电层上形成图案化金属氧化物半导体层与图案化金属蚀刻阻挡层。形成第一导电层以覆盖图案化金属蚀刻阻挡层以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第一导电层，而形成源极以及漏极。形成第二导电层以覆盖源极、漏极以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第二导电层，而形成第一电极层。移除位于源极与漏极之间被暴露出来的图案化金属蚀刻阻挡层。之后，在基板上形成有机材料层，其暴露出第一电极层。在暴露的第一电极层上形成发光层。在发光层上形成第二电极层。

基于上述，由于本发明使用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻第一导电层(定义源极以及漏极)时的蚀刻终止层，此图案化金属蚀刻阻挡层又可继续作为蚀刻第二导电层(定义第一电极层)时的蚀刻终止层。因此，本发明的图案化金属蚀刻阻挡层可以在第一导电层以及第二导电层的蚀刻过程中避免金属氧化物半导体层遭到过渡蚀刻。此外，本发明所提出的有机发光元件只需要形成一层有机层，因此可以节省制造成本。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1至图11是根据本发明一实施例的有机发光元件的制造流程示意图。

其中，附图标记说明如下：

100：基板

102a：栅极

102b：电容下电极

102c：下导电层

102d：接垫

104：介电层

106：图案化金属氧化物半导体层

108：图案化金属蚀刻阻挡层

108a：残留的金属蚀刻阻挡层

110：第一导电层

112、120：光致抗蚀剂层

114a：源极

114b：漏极

114c：电容上电极

114d：上导电层

116：开口

118：第二导电层

118a：第一电极层

118b：接垫接触层

122：有机材料层