[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含：

形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于该第一鳍状物与该第二鳍状物之间的一浅沟槽隔离区，其中，一间隔是定义于该浅沟槽隔离区的上表面上方的该第一鳍状物与第二鳍状物之间，一第一高度是定义于该浅沟槽隔离区的上表面与该些第一、第二鳍状物的上表面之间；

一沉积步骤，沉积一流动性的介电材料而将其置入该间隔内，该介电材料的上表面是位于该浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在该介电材料的上表面与该些第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度，该第二高度是小于该第一高度；以及

一外延形成步骤，在该沉积步骤之后，在该第一鳍状物与该第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于该介电材料上方的一第一鳍状物延伸结构与一第二鳍状物延伸结构。

2.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管的制造方法，其中该第二高度是以一个足够的数量差小于第一高度，以在该外延形成步骤的过程中，避免该第一鳍状物延伸结构与该第二鳍状物延伸结构的合并。

3.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管的制造方法，其中该介电材料的沉积步骤包含一低压化学气相沉积工艺，该低压化学气相沉积工艺是在约20℃的温度与约100kPa的压力下执行。

4.如权利要求3所述的鳍式场效晶体管的制造方法，在该沉积步骤之后，还包含在约200℃的温度与约600Torr的压力下执行约10分钟的一臭氧固化步骤，且在约400℃的温度下执行约20秒的一O₂等离子体处理。

5.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管的制造方法，其中该第二高度比该第一高度的比值为50％至67％。

6.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管的制造方法，其中该沉积步骤包含：

使该介电材料的一平坦层流动而覆盖在该半导体基底的上方，以完全填满该间隔；以及

回蚀该介电材料，而使回蚀后的该介电材料的上表面低于该第一鳍状物与该第二鳍状物的上表面。

7.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管的制造方法，其中使该平坦层流动包含提供一足够量的该介电材料，以在回蚀该介电材料之前，使该介电材料的上表面高于该第一鳍状物与该第二鳍状物的上表面。

8.一种鳍式场效晶体管，包含：

一第一鳍状物和一第二鳍状物，其延伸至一半导体基底的上方，并带有位于该第一鳍状物与该第二鳍状物之间的一浅沟槽隔离区，其中，一间隔是定义于该浅沟槽隔离区的上表面上方的该第一鳍状物与第二鳍状物之间，该第一鳍状物与该第二鳍状物具有一第一长度方向；

第一栅极，位在该第一鳍状物的上方，该第一栅极具有与该第一长度方向垂直的一第二长度方向；

一流动性的介电材料，位于该浅沟槽隔离区的上表面上，而定义出该介电材料的上表面与该些第一、第二鳍状物的上表面之间的一阶差高度，该阶差高度是小于该浅沟槽隔离区的上表面与该些第一、第二鳍状物的上表面之间的一距离；以及

一第一外延SiGe横向鳍状物延伸结构与一第二外延SiGe横向鳍状物延伸结构，其位于该介电材料上方，且分别在该第一鳍状物与该第二鳍状物上，该第一外延SiGe横向鳍状物延伸结构与该第二外延SiGe横向鳍状物延伸结构的横向延伸是避开该介电材料的上表面下方的该第一鳍状物与第二鳍状物的侧缘。

9.如权利要求8所述的鳍式场效晶体管，其中该第一鳍状物与该第二鳍状物的至少一个在其上部具有一凹部，外延SiGe则填入该凹部。

10.如权利要求8所述的鳍式场效晶体管，其中该阶差高度比该距离的比值是50％～67％。