[发明专利]表面发射激光器、其制造方法和图像形成装置有效
申请号: | 201010243717.0 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN101986487A | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 井久田光弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨小明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 发射 激光器 制造 方法 图像 形成 装置 | ||
1.一种表面发射激光器,包括:
基板;
下部多层反射镜;
活性层;
上部多层反射镜;下部多层反射镜、所述活性层和上部多层反射镜被依次设置在基板上,
第一电流限制层,所述第一电流限制层包含第一导电区域和第一绝缘区域,并被设置在构成上部多层反射镜的层之间或者被设置在上部多层反射镜和所述活性层之间;
第二电流限制层,所述第二电流限制层包含第二导电区域和第二绝缘区域,并被设置在比第一电流限制层接近所述活性层的位置;
用于形成第一绝缘区域的第一沟槽结构,该第一沟槽结构从上部多层反射镜的顶部向基板延伸;和
用于形成第二绝缘区域的第二沟槽结构,该第二沟槽结构从上部多层反射镜的顶部向基板延伸以包围第一沟槽结构、并具有位置比第一沟槽结构的底部深的底部,
其中,第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界沿基板的面内方向被设置在第二导电区域内侧。
2.根据权利要求1的表面发射激光器,其中,第一沟槽结构沿基板的面内方向被设置在第二导电区域的外侧。
3.根据权利要求1的表面发射激光器,其中,第一绝缘区域和第二绝缘区域包含铝氧化物。
4.根据权利要求1的表面发射激光器,其中,第一电流限制层仅包含第一导电区域作为导电区域。
5.根据权利要求1的表面发射激光器,其中,第一沟槽结构具有环形形状。
6.根据权利要求1的表面发射激光器,其中,第一沟槽结构被分成多个部分。
7.根据权利要求3的表面发射激光器,其中,第一导电区域中的铝成分比低于第二导电区域中的铝成分比。
8.根据权利要求1的表面发射激光器,其中,第一电流限制层具有比第二电流限制层的厚度小的厚度。
9.根据权利要求1的表面发射激光器,还包括:
通过从上部多层反射镜的顶部蚀刻形成的、被设置在上部多层反射镜中的第三沟槽结构,
其中,第三沟槽结构沿基板的面内方向被设置在第二导电区域内侧,并且,
通过第三沟槽结构在上部多层反射镜中形成反射率分布。
10.一种图像形成装置,包括:
表面发射激光器阵列,在所述表面发射激光器阵列中布置有多个根据权利要求1的表面发射激光器;
感光部件,所述感光部件被配置为通过从表面发射激光器阵列发射的光的照射形成静电潜像;
充电器;和
显影器件。
11.一种表面发射激光器的制造方法,所述表面发射激光器包含基板和设置在基板上的叠层,所述叠层包含下部多层反射镜、活性层和上部多层反射镜,该方法包括如下步骤:
在所述叠层中形成第二可氧化层;
在所述叠层中并在第二可氧化层之上形成第一可氧化层;
形成第一沟槽结构,以从上部多层反射镜的顶面延伸,而至少到达第一可氧化层的顶面并且不到达第二可氧化层的顶面;
通过从第一可氧化层的侧壁氧化第一可氧化层,形成包含第一导电区域和第一绝缘区域的第一电流限制层,第一可氧化层的所述侧壁在第一沟槽结构中被露出;
形成第二沟槽结构,以从上部多层反射镜的顶面延伸到第二可氧化层的顶面;以及
通过从第二可氧化层的侧壁氧化第二可氧化层,形成包含第二导电区域和第二绝缘区域的第二电流限制层,第二可氧化层的所述侧壁在第二沟槽结构中被露出。
12.根据权利要求11的方法,其中,在形成第一电流限制层的步骤之后执行形成第二电流限制层的步骤。
13.根据权利要求11的方法,其中,形成第二沟槽结构的步骤包含:形成沟槽结构而不到达第二可氧化层的顶面的步骤、和执行蚀刻以从该沟槽结构的底部延伸到第二可氧化层的顶面的步骤。
14.根据权利要求11的方法,还包括步骤:
通过蚀刻而沿基板的面内方向在第一沟槽结构内侧形成第三沟槽结构,第三沟槽结构被配置为控制上部多层反射镜的反射率。
15.根据权利要求11的方法,其中,第二可氧化层的氧化中的温度比第一可氧化层的氧化中的温度低。
16.一种表面发射激光器,包括:
基板;
下部多层反射镜;
活性层;
上部多层反射镜,
下部多层反射镜和上部多层反射镜分别从下到上被层叠于基板上,使得所述活性层包含于其间;
第一电流限制层,所述第一电流限制层具有第一导电区域和第一绝缘区域,并且通过使用第一沟槽结构被形成在所述活性层上面或下面;
第二电流限制层,所述第二电流限制层具有第二导电区域和第二绝缘区域,并且通过使用第二沟槽结构被形成在第一电流限制层上面或下面,
其中,第一沟槽结构和第二沟槽结构从上部多层反射镜的顶面向基板延伸,使得第二沟槽结构包围第一沟槽结构,并且,
当沿基板的面内方向观察表面发射激光器时,第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界被设置在第二导电区域内侧。
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