[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和摄像装置有效
| 申请号: | 201010243620.X | 申请日: | 2010-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN101997014A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
| 发明(设计)人: | 滝泽律夫 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 冯丽欣;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 装置 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
多个像素,它们被设置在半导体基板中,并且所述像素包括多个光电转换部和金属氧化物半导体晶体管,所述金属氧化物半导体晶体管从所述光电转换部选择性读出信号;
在所述光电转换部上的至少一层有机光电转换膜;以及
隔离区域,它被设置在所述有机光电转换膜中与所述像素之间对应的位置处,用于进行光隔离和电隔离。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述隔离区域包括设置在所述有机光电转换膜中的杂质区域。
3.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述隔离区域包括所述有机光电转换膜中的分子键被切断的区域。
4.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述隔离区域包含感光材料。
5.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述有机光电转换膜包含具有感光性的有机光电转换材料。
6.根据权利要求5所述的固体摄像器件,其中,所述具有感光性的有机光电转换材料包括有机光电转换材料和感光材料。
7.根据权利要求5所述的固体摄像器件,其中,所述具有感光性的有机光电转换材料包括具有感光反应基团的有机光电转换材料。
8.根据权利要求1所述的固体摄像器件,还包括设置在所述有机光电转换膜上的阻挡膜,
其中,所述隔离区域还设置在所述阻挡膜中与所述像素之间对应的位置处。
9.一种固体摄像器件的制造方法,其包括以下步骤:
在半导体基板中形成多个像素,所述像素包括多个光电转换部和金属氧化物半导体晶体管,所述金属氧化物半导体晶体管从所述光电转换部中选择性读出信号;
在所述光电转换部上形成至少一层有机光电转换膜;以及
在所述有机光电转换膜中与所述像素之间对应的位置处形成进行光隔离和电隔离的隔离区域。
10.根据权利要求9所述的固体摄像器件的制造方法,其中,通过在所述有机光电转换膜中与所述像素之间对应的位置处离子注入杂质形成所述隔离区域。
11.根据权利要求9所述的固体摄像器件的制造方法,其中,通过在所述有机光电转换膜中与所述像素之间对应的位置处离子注入杂质,将所述有机光电转换膜中的键切断,以此形成所述隔离区域。
12.根据权利要求9所述的固体摄像器件的制造方法,其中,通过在隔离槽中填充感光性材料形成所述隔离区域,所述隔离槽在所述有机光电转换膜中与所述像素之间对应的位置处形成。
13.根据权利要求9所述的固体摄像器件的制造方法,其中,所述有机光电转换膜包含具有感光性的有机光电转换材料。
14.根据权利要求9所述的固体摄像器件的制造方法,还包括在所述有机光电转换膜上形成阻挡膜,
其中,所述隔离区域还形成在所述阻挡膜中与所述像素之间对应的位置处。
15.一种摄像装置,其包括:
集光光学部,它用于聚集入射光;
摄像部,它具有固体摄像器件,所述固体摄像器件接收由所述集光光学部聚集的光并对所述光进行光电转换;以及
信号处理部,它对通过所述固体摄像器件进行光电转换并从所述摄像部输出的信号进行处理,
其中,所述固体摄像器件包括:
多个像素,它们被设置在半导体基板中,并且所述像素包括多个光电转换部和金属氧化物半导体晶体管,所述金属氧化物半导体晶体管从所述光电转换部选择性读出信号;
在所述光电转换部上的至少一层有机光电转换膜;以及
隔离区域,它被设置在所述有机光电转换膜中与所述像素之间对应的位置处,用于进行光隔离和电隔离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





