[发明专利]一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法

权利要求书

1.一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法，其特征在于采用阳极氧化铝模板作为反应离子束刻蚀阻挡层，在聚酰亚胺薄膜中形成与氧化铝模板相似的纳米孔阵列；去除氧化铝模板，再通过溅射的方法淀积一层厚度可控的超薄金属；然后去除聚酰亚胺薄膜，即形成高密度、分布均匀的纳米晶阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

（1）在单晶硅片衬底上淀积一层电荷隧穿层； 

（2）在电荷隧穿层上旋涂一层聚酰亚胺薄膜，厚度控制在30－100纳米范围内；

（3）将阳极氧化铝模板放置在聚酰亚胺薄膜上，并使二者之间紧密接触；

（4）以上述氧化铝模板作为掩膜，对聚酰亚胺进行反应离子刻蚀，使刻蚀深度到达电荷隧穿层，从而在聚酰亚胺薄膜中形成纳米孔阵列，即获得聚酰亚胺掩膜；

（5）采用机械剥离或酸腐蚀的方法去除氧化铝模板； 

（6）采用溅射的方法在聚酰亚胺掩膜中的纳米孔中淀积一层3—10纳米厚度的超薄金属；

（7）采用lift-off技术去除聚酰亚胺膜，然后在600－800℃热退火10－30秒；

（8）淀积一层电荷阻挡层；

（9）采用反应溅射技术，淀积金属栅电极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的淀积电荷隧穿层，是先用高温热氧化生长SiO₂，然后用原子层淀积方法淀积Al₂O₃。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的金属纳米晶材料选用Ru或Pd。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的电荷阻挡层选用原子层淀积的HfAlO或HfLaO薄膜。