[发明专利]一种压电薄膜体声波谐振器无效
| 申请号： | 201010242364.2 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101951238A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 汤亮;乔东海 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 杨小蓉;高宇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压电 薄膜 声波 谐振器 | ||
1.一种压电薄膜体声波谐振器，由上至下包括：上层金属电极、压电薄膜、下层金属电极、支持薄膜和衬底，工作区由上层金属电极、压电薄膜和下层金属电极构成，所述的压电薄膜体声波谐振器通过对衬底进行硅体深刻蚀，使得支持薄膜的下表面与空气直接接触，将声波能量限制在工作区中；其特征在于，
所述的支持薄膜采用多层结构，包括：厚度为0.2μm～0.6μm的氮化硅层和厚度为0.2μm～0.8μm的二氧化硅层，其中，最下层为氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的支持薄膜由上至下为三层，依次是氮化硅层、二氧化硅层和氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的支持薄膜由上至下为两层，依次是二氧化硅层和氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的衬底为硅衬底或砷化镓衬底。
5.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的上金属电极采用铝金属电极、钼金属电极，以铬作过渡层的金金属电极，以钛作过渡层的铂金金属电极，或是以铬作过渡层的铂金金属电极。
6.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的下金属电极采用铝金属电极、钼金属电极，以铬作过渡层的金金属电极，以钛作过渡层的铂金金属电极，或是以铬作过渡层的铂金金属电极。
7.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的压电薄膜为氮化铝压电薄膜或者氧化锌压电薄膜。
8.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的上层金属电极和下层金属电极的厚度均为0.1μm～0.6μm。
9.根据权利要求1所述的压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的压电薄膜的厚度为0.5μm～3μm。
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