[发明专利]一种可解决电荷分配和电流失配问题的电荷泵无效
| 申请号： | 201010241851.7 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101895192A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 梅海涛;孙礼中 | 申请（专利权）人： | 苏州科山微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 赵枫 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 解决 电荷 分配 电流 失配 问题 | ||
1.一种可解决电荷分配和电流失配问题的电荷泵，其特征是：所述电荷泵设有：
电荷泵核心电路，包括由第六PMOS管(14)、第七PMOS管(15)和第八NMOS管(16)、第九NMOS管(17)组成的差分电荷泵输入结构，所述第六PMOS管(14)、第七PMOS管(15)的源极与第一PMOS管(1)的漏极相连，所述第八NMOS管(16)、第九NMOS管(17)的源极与第一NMOS管(7)的漏极相连，第六PMOS管(14)、第八NMOS管(16)的漏极连接于运算放大器(6)的正输入端上，其运输放大器(6)的负输入端和输出端短接并与第七PMOS管(15)、第九NMOS管(17)的漏极连接；
电流复制反馈电路，其第三NMOS管(9)的栅极与运算放大器(6)的正输入端连接，第三PMOS管(3)的源、栅极分别与第一PMOS管(1)、第二PMOS管(2)的源、栅极连接，第NMOS管(11)的删、源极分别与第一NMOS管(7)、第二NMOS管(8)的删、源极端连接，第四NMOS管(10)的栅极连接于第五PMOS管(5)的漏极，所述第三PMOS管(3)及第四PMOS(4)管的漏、栅极都短接，并且第四PMOS管(4)的源极和第六NMOS管(12)的栅极接电源；
以及删、源极与第一NMOS管(7)的删、源极相连接的第七NMOS管(13)，所述第七NMOS管(13)的漏、栅极接外部电流源。
2.根据权利要求1所述的可解决电荷分配和电流失配问题的电荷泵，其特征是：所述第一PMOS管(1)和第二PMOS管(2)的尺寸相同，第一NMOS管(7)和第二NMOS管(8)的尺寸相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科山微电子科技有限公司，未经苏州科山微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010241851.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SVPWM信号发生器
- 下一篇：一种四联供系统
