[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010241615.5 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101930941A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：
提供具有沟槽的半导体衬底；
在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层；
在所述沟槽中填充绝缘介质。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层的步骤在炉管中进行。
3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层的步骤中，所使用的反应气体为氧化亚氮、二氯硅烷以及氨气。
4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述氧化亚氮的流量为80～200sccm，所述二氯硅烷的流量为30～150sccm，所述氨气的流量为50～300sccm。
5.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层的步骤中，所采用的温度为600～1000℃。
6.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层的步骤中，所述炉管内的压力为50～300mTorr。
7.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度100～250。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层的步骤之前，还包括：在所述沟槽的底部和侧壁形成氧化硅层。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，利用高密度等离子体化学气相沉积工艺在所述沟槽中填充绝缘介质。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述沟槽中填充绝缘介质的步骤之后，还包括：利用化学机械研磨工艺平坦化所述半导体衬底的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
