[发明专利]刻蚀图形的形成方法有效
| 申请号： | 201010241601.3 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101964307A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 图形 形成 方法 | ||
1.一种刻蚀图形的形成方法，包括：
提供半导体衬底；
利用化学气相沉积的方式在所述半导体衬底上形成氧化硅层；
利用去离子水清洗所述氧化硅层；
在所述氧化硅层上形成六甲基二硅氮烷层；
在所述六甲基二硅氮烷层上形成光刻胶层；
利用曝光和显影工艺形成图案化光刻胶层；
以所述图案化光刻胶层为掩膜，湿法刻蚀氧化硅层以形成刻蚀图形。
2.如权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，利用去离子水清洗所述氧化硅层的时间为30～900秒。
3.如权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，利用去离子水清洗所述氧化硅层之前，还包括：利用含有NH4OH、H2O2和H2O的清洗液体清洗氧化硅层。
4.如权利要求3所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，利用所述含有NH4OH、H2O2和H2O的清洗液体清洗氧化硅层的时间为30至650秒。
5.如权利要求4所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述清洗液体中，NH4OH、H2O2和H2O的体积配比范围为1∶1∶5至1∶1∶50。
6.如权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在湿法刻蚀氧化硅层的步骤中，所使用的刻蚀液体为氢氟酸缓冲腐蚀液。
7.如权利要求6所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述氢氟酸缓冲腐蚀液中，氟化氨溶液和氢氟酸的体积配比范围为7∶1至200∶1。
8.如权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在湿法刻蚀氧化硅层步骤中，所使用的刻蚀液体为稀释的氢氟酸。
9.如权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，利用低压化学气相沉积的方式在所述半导体衬底上形成氧化硅层。
10.如权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
